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具有延伸的栅极结构的半导体结构及其形成方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113013249 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110191847.2 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日

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