IC封装工艺简介课件.ppt

EOL–Molding（注塑）為了防止外部環境的衝擊，利用EMC

把WireBonding完成後的產品封裝起

來的過程，並需要加熱硬化。BeforeMoldingAfterMolding*IntroductionofICAssemblyProcess

IC封裝工藝簡介艾ICProcessFlowCustomer客戶ICDesignIC設計WaferFab晶圓製造WaferProbe晶圓測試AssemblyTestIC封裝測試SMTIC組裝ICPackage（IC的封裝形式）Package--封裝體：指晶片（Die）和不同類型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封裝體。ICPackage種類很多，可以按以下標準分類：按封裝材料劃分為：金屬封裝、陶瓷封裝、塑膠封裝按照和PCB板連接方式分為：PTH封裝和SMT封裝按照封裝外型可分為：SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；ICPackage（IC的封裝形式）按封裝材料劃分為：金屬封裝陶瓷封裝塑膠封裝金屬封裝主要用於軍工或航太技術，無商業化產品；陶瓷封裝優於金屬封裝，也用於軍事產品，占少量商業化市場；塑膠封裝用於消費電子，因為其成本低，工藝簡單，可靠性高而佔有絕大部分的市場份額；ICPackage（IC的封裝形式）按與PCB板的連接方式劃分為：PTHSMTPTH-PinThroughHole,通孔式；SMT-SurfaceMountTechnology，表面貼裝式。目前市面上大部分IC均采為SMT式的SMTICPackage（IC的封裝形式）按封裝外型可分為：SOT、QFN、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；決定封裝形式的兩個關鍵因素:封裝效率。晶片面積/封裝面積，儘量接近1:1；引腳數。引腳數越多，越高級，但是工藝難度也相應增加；其中，CSP由於採用了FlipChip技術和裸片封裝，達到了

晶片面積/封裝面積=1:1，為目前最高級的技術；封裝形式和工藝逐步高級和複雜ICPackage（IC的封裝形式）QFN—QuadFlatNo-leadPackage四方無引腳扁平封裝SOIC—SmallOutlineIC小外形IC封裝TSSOP—ThinSmallShrinkOutlinePackage薄小外形封裝QFP—QuadFlatPackage四方引腳扁平式封裝BGA—BallGridArrayPackage球柵陣列式封裝CSP—ChipScalePackage晶片尺寸級封裝ICPackageStructure（IC結構圖）TOPVIEWSIDEVIEWLeadFrame

引線框架GoldWire

金線DiePad

晶片焊盤Epoxy

銀漿MoldCompound環氧樹脂RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【Wafer】晶圓……RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【LeadFrame】引線框架提供電路連接和Die的固定作用；主要材料為銅，會在上面進行鍍銀、

NiPdAu等材料；L/F的制程有Etch和Stamp兩種；易氧化，存放於氮氣櫃中，濕度小於40%RH;除了BGA和CSP外，其他Package都會採用LeadFrame，

BGA採用的是Substrate；RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【GoldWire】焊接金線實現晶片和外部引線框架的電性和物

理連接；金線採用的是99.99%的高純度金；同時，出於成本考慮，目前有採用銅

線和鋁線工藝的。優點是成本降低，

同時工藝難度加大，良率降低；線徑決定可傳導的電流；0.8mil，

1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；RawMaterialinAssembly(封裝原材料)【MoldCompound】塑封料/環氧樹脂主要成分為：環氧樹脂及各種添加劑（固化劑，改性劑，脫

模劑，染色劑，阻燃劑等）；主要功能為：在熔融狀態下將Die和LeadFram