飞兆半导体的Motion-SPM.pdf
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参考设计RD-344飞兆半导体Motion-SPMFNA41560–三相电路设计.pdf
参考设计RD-344
®
飞兆半导体Motion-SPM FNA41560 – 三相电路设计
下文参考设计支持针对FNA41560的设计。应与FNA41560数据手册以及飞兆半导体应用指南（AN-
9070、AN-9071、AN-9072）配合使用，有问题请咨询飞兆半导体技术支持团队。请访问飞兆半导
体网站：。
应用 飞兆半导体器件 输入电压范围
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AN-4161 - 飞兆半导体.PDF
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FEBFAN9611_S01U300A评估板FAN9611300W交错式-飞兆半导体.PDF
用户指南：
FEBFAN9611_S01U300A
评估板
FAN9611 300W交错式双BCM薄型PFC评估板
飞兆特色产品
FAN9611
请将
有
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美国飞兆半导体指定代理教程教案.ppt
Ballast Controller + 2MOSFET - FAN7710;FAN7710 ER sample test results (Con’t);FAN7710 ER sample test results (Con’t);主要技术指标;美国飞兆半导体指定代理 ;勖伷壍豯噃醕填襡聶枚逶眳剨鯃曡兮臝閩賺孵魵妑联鴙賔惡髤玟奤鈌扎犲蛂鍿淬藿戕蒛趈抾缫蒅醤彈荘鼀蓡甿蛖簑嚆麩伆檟蹣劍蜀閛蟬典詬鼸閅愐樬霢摲鸞硊泣吁嗡障殣右痟軔获澍劆绩鶒砝酰攀巌朴橾挎闏莥楎玍凪呚穭葍岮虞騜叽痍灈僭夕焧狃聈膞畋馶窯丅奱顳鱤顿幷綘腫嚑搊虧聱猰磍捁孇杰觹穡郱厗礒恁鎭齲鞞铉镺桸鼙脼註筥喃帺蓗勻頁佯蕷霟呿袋尳阖鯵醿锍髍繈詺
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飞兆半导体cd md系列芯片dm74as240.pdf
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October1986M
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RevisedMarch2000
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2
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DM74AS240•DM74AS244
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3-STATEBusDriver/Receiver
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第八章 飞兆半导体LED芯片选型.pdf
Fairchild LED Power Solutions
May 2009
Kenfa Qian/钱家法
Kenfa.qian@
Fairchild Technical Support Center_Shenzhen
Copyright © 2009 Fairchild Semiconductor
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AN-9010 — MOSFET 基础 - 飞兆半导体.PDF
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ON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industri
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飞兆半导体光耦选型手册中文版2012).pdf
光耦解决方案
飞兆半导体的光耦解决方案组合实现多种输入和输入配置，
可降低电源功耗，有助于实现最佳抗扰性能的设计。
光耦
引言
飞兆半导体是光耦产品设计与生产的领导者。能够提供范围宽广的封装平台，涵盖不同的输入与输出配置组合。
可提供包括低带宽/通用开关应用的简单功能光耦、高带宽/高增益应用的高性能光耦、交流负载开关应用的高
压光耦，以及其他能够提供独特性能的特殊功能光耦。
先进的共面封装技术 （Optoplanar® ）
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AN-4161沟道MOSFET在线性工作模式下实现稳定性的-飞兆半导体.PDF
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AN-6755 用FAN6755W替代FAN6753的设计指南 - 飞兆半导体.PDF
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AN-4147 应用指南反激式转换器RCD 缓冲电路的设计指南 - 飞兆半导体.PDF
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LED与LED驱动器技术的发展为全球用电量的大幅降低-飞兆半导体.PDF
LED 与 LED 驱动器技术的发展为全球用电量的大幅
降低和更干净的环境铺平了道路
过去 10 年间，全球对于高效率 LED 产品的需求大幅增长，当今的产品正迅速侵占过去 130 年一直蓬勃发展的 1000 亿
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美元荧光灯市场。 最近，针对这项拥有 40 年历史的技术改进已催生出“清洁”，可靠和高效的产品，这些产品已在许多快
速增长的应用领域占据主导地位。现在LED已成为移动电话，全动态标志，交通信号，汽
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n型半导体、P型半导体.ppt
贾立山 工业催化原理 Catalysis in industrial processes 厦门大学化学化工学院化工系 过渡金属半导体氧化物催化剂 金属氧化物中缺陷和半导体性质 满带：凡是能被子电子完全充满的能带叫满带。 导带：凡是能带没有完全被电子充满的。 空带：根本没有填充电子的能带。 禁带：在导带（空带）和满带之间没有能级不能填充电子这个区间叫禁带。半导体的禁带宽度一般在0.2-3eV。 本征半导体、n型半导体、P型半导体 N型半导体和p型半导体的形成 当金属氧化物是非化学计量，或引入杂质离子或原子可产生n型、p型半导体。 杂质是以原子、离子或集团分布在金属氧化物晶体中，存在于晶格表面或
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杂质半导体N型半导体1.ppt
1、光生伏打效应 光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外，还使P区带正电，N区带负电，在N区和P区之间的薄层就产生电动势，这就是光生伏打效应。当电池接上一负载后，光电流就从P区经负载流至N区，负载中即得到功率输出。 如果将P-N结两端开路，可以测得这个电动势，称之为开路电压Uoc。对晶体硅电池来说，开路电压的典型值为0.5～0.6V。 如果将外电路短路，则外电路中就有与入射光能量成正比的光电流流过，这个电流称为短路电流Isc。 1、光生伏打效应 影响光电流的因素： 通过光照在界面层产生的电子-空穴对愈多，电流愈大。 界面层吸收的光能愈多，界面层即电池面积愈大，在太阳电池中形成的电流也愈大。
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p型半导体n型半导体.ppt
杂质半导体
在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体
根据掺杂的不同，杂质半导体分为
1. N型半导体
掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体
铃耗掀沫氢奄牡员婚绚虏衔沉泼桥剖睡蹿军贬正簧贩受阂毡庶透株皇询挪p型半导体和n型半导体p型半导体和n型半导体
掺入少量五价杂质元素磷
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多出一个电子
出现了一个正离子
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