飞兆半导体cd md系列芯片dm74as240.pdf
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第八章 飞兆半导体LED芯片选型.pdf
Fairchild LED Power Solutions
May 2009
Kenfa Qian/钱家法
Kenfa.qian@
Fairchild Technical Support Center_Shenzhen
Copyright © 2009 Fairchild Semiconductor
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AN-4161 - 飞兆半导体.PDF
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飞兆半导体的Motion-SPM.pdf
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FEBFAN9611_S01U300A评估板FAN9611300W交错式-飞兆半导体.PDF
用户指南：
FEBFAN9611_S01U300A
评估板
FAN9611 300W交错式双BCM薄型PFC评估板
飞兆特色产品
FAN9611
请将
有
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美国飞兆半导体指定代理教程教案.ppt
Ballast Controller + 2MOSFET - FAN7710;FAN7710 ER sample test results (Con’t);FAN7710 ER sample test results (Con’t);主要技术指标;美国飞兆半导体指定代理 ;勖伷壍豯噃醕填襡聶枚逶眳剨鯃曡兮臝閩賺孵魵妑联鴙賔惡髤玟奤鈌扎犲蛂鍿淬藿戕蒛趈抾缫蒅醤彈荘鼀蓡甿蛖簑嚆麩伆檟蹣劍蜀閛蟬典詬鼸閅愐樬霢摲鸞硊泣吁嗡障殣右痟軔获澍劆绩鶒砝酰攀巌朴橾挎闏莥楎玍凪呚穭葍岮虞騜叽痍灈僭夕焧狃聈膞畋馶窯丅奱顳鱤顿幷綘腫嚑搊虧聱猰磍捁孇杰觹穡郱厗礒恁鎭齲鞞铉镺桸鼙脼註筥喃帺蓗勻頁佯蕷霟呿袋尳阖鯵醿锍髍繈詺
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AN-9010 — MOSFET 基础 - 飞兆半导体.PDF
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飞兆半导体光耦选型手册中文版2012).pdf
光耦解决方案
飞兆半导体的光耦解决方案组合实现多种输入和输入配置，
可降低电源功耗，有助于实现最佳抗扰性能的设计。
光耦
引言
飞兆半导体是光耦产品设计与生产的领导者。能够提供范围宽广的封装平台，涵盖不同的输入与输出配置组合。
可提供包括低带宽/通用开关应用的简单功能光耦、高带宽/高增益应用的高性能光耦、交流负载开关应用的高
压光耦，以及其他能够提供独特性能的特殊功能光耦。
先进的共面封装技术 （Optoplanar® ）
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半导体芯片.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345928 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110420235.6 H01L 27/11507 (2017.01)
(22)申请日
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半导体芯片.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380806 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110408842.0
(22)申请日 2021.04.16
(30)优先权数据
63/031,05
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半导体芯片以及包括该半导体芯片的半导体封装.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582822 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202110670550.4
(22)申请日 2021.06.17
(30)优先权数据
10-2020-0165149
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半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装.pdf
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582823 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202111325287.1
(22)申请日 2021.11.10
(30)优先权数据
10-2020-0165149
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半导体晶圆及半导体芯片.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380716 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202010848274.1
(22)申请日 2020.08.21
(30)优先权数据
2020-0398
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2023年半导体芯片行业系列研究——中国存储芯片行业概览.pdf
2023年半导体芯片行业系列研究——
中国存储芯片行业概览
2023MemoryChipIndustryOverview
2023メモリチップ業界の概要
概览标签：NANDFlash芯片，DRAM芯片，NOR芯片
摘要
研究目的
01市场竞争格局未来有望呈现国产化加速的局面
从全球存储芯片竞争格局来看，DRAM存储芯片及Flash存储芯片头部市场主要被三星本报告为半导体芯片系列报告，将梳理半导体芯片的应
电子（韩）、SK海力士（韩）、美光（美）、西部数据（美）、铠侠（日）等国际厂用及竞争情况，对整个行业发展状况做出分析。
商垄断。从中国存储芯片上市企业竞争格局来看，2022年江波龙的存储芯片业
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AN-4161沟道MOSFET在线性工作模式下实现稳定性的-飞兆半导体.PDF
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参考设计RD-344飞兆半导体Motion-SPMFNA41560–三相电路设计.pdf
参考设计RD-344
®
飞兆半导体Motion-SPM FNA41560 – 三相电路设计
下文参考设计支持针对FNA41560的设计。应与FNA41560数据手册以及飞兆半导体应用指南（AN-
9070、AN-9071、AN-9072）配合使用，有问题请咨询飞兆半导体技术支持团队。请访问飞兆半导
体网站：。
应用 飞兆半导体器件 输入电压范围