K,透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究-物理学报.PDF
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Ta掺杂InZnO薄膜晶体管的制备和电学性能研究.docx
Ta掺杂InZnO薄膜晶体管的制备和电学性能研究
一、引言
近年来，随着信息技术的飞速发展，薄膜晶体管（TFT）作为平板显示技术中的核心元件，其性能的优化和改进一直是研究的热点。InZnO薄膜晶体管因其高迁移率、高透明度和良好的稳定性等优点，在柔性显示、透明显示等领域具有广泛的应用前景。然而，为了进一步提高其性能，研究者们不断探索新的材料和制备工艺。本文研究了Ta掺杂InZnO薄膜晶体管的制备工艺及其电学性能，旨在为该领域的研究提供一定的理论依据和技术支持。
二、Ta掺杂InZnO薄膜晶体管的制备
1.材料选择与准备
本实验选用In、Zn、Ta等金属元素作为掺杂元素，选用适当的有机溶剂和前驱体
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ZnO薄膜的制备及其晶体管性能研究的开题报告
一、选题背景与意义
氧化锌（ZnO）薄膜具有很多优异的物理和化学特性。比如，它具有宽带隙、高电子迁移率、可近红外吸收性以及直接带隙等性质。因此，它在太阳能电池、光电器件、紫外激光技术、生物传感器等领域中有广泛的应用。除此之外，ZnO薄膜还可以用于研究气敏性能、催化性质和电催化反应等方面。因此，开展ZnO薄膜制备及其晶体管性能研究具有重要的科学价值和应用前景。
二、研究内容和目标
本课题的目的是利用靶材溅射技术在硅衬底上制备高质量的ZnO薄膜，并利用典型的金属半导体场效应晶体管（MOSFET）结构，研究ZnO薄膜的电学性能和晶体管性能。研究内容主要包
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氧化物薄膜晶体管的制造及其电学性能研究的开题报告
一、选题背景
氧化物薄膜晶体管是一种新型的半导体器件，具有可替代传统硅基半导体器件的潜力。与硅晶体管不同，氧化物薄膜晶体管的材料具有较高的载流子迁移率和可穿透性，适用于透明显示技术、高速计算机处理器等领域。本研究旨在通过制造氧化物薄膜晶体管并对其电学性能进行研究，为其在未来的应用中提供理论和实验基础。
二、研究内容
本研究的主要内容包括氧化物薄膜晶体管的制造和电学性能研究两个方面。
1. 氧化物薄膜晶体管的制造
（1）选择适当的基板和氧化物材料，利用溅射、热蒸发等技术制备薄膜；
（2）通过光刻、电子束曝光等技术定义出器件的结构；
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透明氧化物薄膜晶体管的制备与研究
一、引言
透明氧化物薄膜晶体管（TFT）作为一种关键的微电子元件，具有高透明度、低电阻率和优良的机械强度等优点，在现代微电子器件、显示器以及光电探测器等领域具有广泛的应用前景。本文旨在详细介绍透明氧化物薄膜晶体管的制备方法，并对其性能进行深入研究。
二、透明氧化物薄膜晶体管的制备
1.材料选择
透明氧化物薄膜晶体管的制备材料主要包括基底、氧化物半导体材料、绝缘层材料和电极材料等。其中，基底通常选用玻璃或柔性塑料等材料；氧化物半导体材料如氧化铟锡（ITO）等；绝缘层材料则常选用氧化铝（Al2O3）等；电极材料则选用导电性能良好的金属或合金。
2.制备工艺
透明氧
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有机半导体薄膜晶体管的制备和性能研究.pdf
有机半导体薄膜晶体管的制备和性能研究--第1页
有机半导体薄膜晶体管的制备和性能研究
随着技术的不断发展，半导体事业也在不断壮大，成为了现代
化社会中的一个关键产业。而其中有机半导体材料作为一种新型
材料，因其良好的可加工性、低成本和柔性可弯曲性等特点，逐
渐成为了半导体材料研究领域的热点之一。有机半导体薄膜晶体
管就是其中重要的一种应用，下面将对其制备和性能研究进行讨
论。
一、有机半导体薄膜晶体管的制备
1.1有机半导体材料的选择
在制备有机半导体薄膜晶体管之前，需要选择合适的有机半导
体材料。一般来说，合适的有机半导体材料需要满足以下几个条
件：
1)具有较低的载流子注入电势，以便于提高
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非晶InSnO基薄膜晶体管的制备及性能研究
一、引言
随着现代电子显示技术的飞速发展，薄膜晶体管（TFT）作为核心元件在平板显示领域的应用越来越广泛。非晶InSnO基薄膜晶体管因其高迁移率、低工作电压和良好的稳定性等特点，备受研究者的关注。本文旨在探讨非晶InSnO基薄膜晶体管的制备工艺及其性能研究，为该类器件的进一步应用提供理论和实践依据。
二、材料与方法
1.材料准备
制备非晶InSnO基薄膜晶体管所需材料包括：In、Sn的氧化物、绝缘基底、电极材料等。这些材料应满足高纯度、高稳定性等要求，以确保器件性能的可靠性。
2.制备工艺
（1）基底处理：对绝缘基底进行清洗、烘干，以提高基底与薄膜之
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018μm窄沟NMOS晶体管总剂量效应研究-物理学报.PDF
物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 13 (2013) 136101
0.18 m 窄沟NMOS 晶体管总剂量效应研究*
吴雪123 陆妩12† 王信123 席善斌123 郭旗12 李豫东12
1) ( 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011 )
2) ( 新疆电子信息材料与器件重点实
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823874 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202110117342.1 G02F 1/1343 (2006.01)
(22)申请日 2021.01
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一种基于透明薄膜晶体管的光电探测器阵列及其制备方法.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363278 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110617238.9
(22)申请日 2021.06.03
(71)申请人 吉林大学
地址 13
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《硒化铟纳米薄膜的制备及其电学和光电性能研究》
一、引言
随着纳米科技的飞速发展，硒化铟（InSe）纳米薄膜因其独特的物理和化学性质，在电子器件、光电器件等领域展现出巨大的应用潜力。本文旨在研究硒化铟纳米薄膜的制备方法，并对其电学和光电性能进行深入探讨。
二、硒化铟纳米薄膜的制备
硒化铟纳米薄膜的制备主要采用化学气相沉积法。首先，将高纯度的铟和硒源置于反应室中，通过控制温度、压力和反应时间等参数，使铟和硒在高温下发生化学反应，生成硒化铟。随后，利用特殊的成膜技术，将生成的硒化铟沉积在基底上，形成均匀的纳米薄膜。
三、电学性能研究
1.电阻率测试
通过四探针法测量硒化铟纳米薄膜的电阻率。在一定
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不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管-发光学报.PDF
第34卷摇 第10期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾34 No郾10
2013年10月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Oct. ,2013
文章编号:1000鄄7032(2013)10鄄1392鄄08
不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管
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一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理-物理学报.PDF
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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二氧化锡纳米纤维场效应晶体管的制备和电学性能研究.docx
题目：
二氧化锡纳米纤维场效应晶体管的制备和电学性能研究
二氧化锡纳米纤维场效应晶体管的制备和电学性能研究
（题名和副题名）
摘要
如今，平板显示技术是手机、电脑等电子产品中不可缺少的重要技术，场效应晶体管又是显示技术中的重要部件。由于一维纳米结构的SnO2具有价格低廉、无毒、光学透明性好等优点，吸引了大量科学家的研究热情。然而，如何制造低成本且具有高性能和多功能的一维纳米SnO2电子设备在当今社会还是一个巨大的难题。针对这一问题，本实验做了以下工作。首先通过调查当前场效应晶体管的制备技术，阐述了主流场效应晶体管各层的优势制备技术。然后选择采用较低成本的静电纺丝技术制备Sn
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溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的成核-生长和失稳分解研究!-物理学报.PDF
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《ZnO_Y-Mg透明导电薄膜的制备及其光电性能研究》.docx
《ZnO_Y-Mg透明导电薄膜的制备及其光电性能研究》
ZnO_Y-Mg透明导电薄膜的制备及其光电性能研究一、引言
随着现代电子技术的飞速发展，透明导电薄膜因其独特的电学和光学性质，在各种领域中有着广泛的应用，如液晶显示器、触摸屏、太阳能电池等。ZnO:Y-Mg透明导电薄膜作为一种重要的透明导电材料，因其良好的导电性、光学透过性和稳定性，近年来受到了广泛的关注。本文将详细介绍ZnO:Y-Mg透明导电薄膜的制备方法，并对其光电性能进行研究。
二、ZnO:Y-Mg透明导电薄膜的制备
1.材料选择与预处理
制备ZnO:Y-Mg透明导电薄膜所需的主要材料为氧化锌（ZnO）、镁（Mg）和钇（Y）的氧化