化合物半导体外延片及其制造方法.pdf

化合物及其制造方法以及使用了该化合物的有机半导体材料.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112930351 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 201980071271.7 工藤俊　 (22)申请日

2023-06-06 约6.73万字 56页立即下载

III-V族化合物半导体基板和带有外延层的III-V族化合物半导体基板.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112838122 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011621874.0 H01L 29/36 (2006.01)

2023-06-02 约5.94万字 49页立即下载

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112997283 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 201980072627.9 (74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

2023-06-06 约2.66万字 27页立即下载

半导体材料族化合物半导体的外延生长.ppt 7-3液相外延生长(LPE) 液相外延是从饱和溶液中在单晶衬底上生长外延层的方法 (Liquid phase epitaxy，LPE)。它是1963年由纳尔逊(H．Nelson)提出来的，与其他外延方法相比，它有如下的优点： ①生长设备比较简单； ②有较高的生长速率； ③掺杂剂选择范围广； ④晶体完整性好，外延层位错密度较衬底低； ⑤晶体纯度高，系统中没有剧毒和强腐性的原料及产物，操作安全、简便。由于上述的优点，使它在光电、微波器件的研究和生产中得到广泛的应用。第六十一张，课件共八十九张，编辑于2022年5月 LPE的缺点 1) 当外延层与衬底晶格常数差大于1％时，不能进行很好的生

2022-06-12 约1.43万字 89页立即下载

半导体材料族化合物半导体的外延生长.ppt 7-3液相外延生长(LPE) 液相外延是从饱和溶液中在单晶衬底上生长外延层的方法 (Liquid phase epitaxy，LPE)。它是1963年由纳尔逊(H．Nelson)提出来的，与其他外延方法相比，它有如下的优点： ①生长设备比较简单； ②有较高的生长速率； ③掺杂剂选择范围广； ④晶体完整性好，外延层位错密度较衬底低； ⑤晶体纯度高，系统中没有剧毒和强腐性的原料及产物，操作安全、简便。由于上述的优点，使它在光电、微波器件的研究和生产中得到广泛的应用。第六十一页，共89页 LPE的缺点 1) 当外延层与衬底晶格常数差大于1％时，不能进行很好的生长。 2) 由于分凝系数的不

2021-11-06 约1.34万字 89页立即下载

族化合物半导体.ppt 反应器缓慢通过加热器，在均匀的固态物料上形成一个熔区，上面的固液界面，温度高，固相（浓度C0）溶入溶剂区，温度较低的固液下界面即生长界面，材料以同一浓度C0结晶。是一种近平衡的生长过程，结晶生长在恒温下进行，生长温度低于材料生长的最高固相线温度，具有低温生长的优点。第37页,共44页，星期六，2024年，5月2.MBE和MOVPE法优点：（1）更适合在“原位”生长异质结和PN结；（2）实现了在面积大、质量好、实用性强的衬底上生长；（3）可进行薄层、超薄层和原子层的外延；（4）对实际生长过程进行监测；（5）批量生产.第38页,共44页，星期六，2024年，5月MBE法:在直径Ф=5cm的GaAs

2025-02-04 约8.62千字 44页立即下载

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体.ppt GaN应用前景对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是目前器件水平已可实用化。　1994年日本日亚化学所制成1200mcd的LED，1995又制成2cd蓝光(450nmLED)，绿光12cd(520nmLED证明这一材料研制工作取得相当成功，进入实用化阶段。　　InGaN系合金的生成，InGaNAlGaN双异质结LED，InGaN单量子阱LED，InGaN多量子阱LD等相继开发成功。InGaN　SQW　LED6cd高亮度纯绿色、2cd高亮度蓝色LED已制作出来，今后，与AlInGaP、AlGaAs系红色LED组合形成高亮度全色显示就可实现。这样三原色混

2019-05-03 约1.63万字 74页立即下载

第6章化合物半导体.ppt 　　Ⅲ一V族化合物半导体的离子键成分与其组成的Ⅲ族和V族原子的电负性之差有关。两者差越大，离子键成分就越大，而共价键成分就越小。　　例如，GaP的Ga原子的电负性是1.6，P原子电负性是2.1，它们相差0.5。由课本的化合物原子电负性差与离子键的成分关系图（图6—2）可查出相对应的离子键成分为7.5％，也就是说GaP中共价键成分可能是92.5％。　　但GaP为闪锌矿型，最靠近Ga原子的P原子共有四个，而Ga原子的价电子只有3个，所以Ga原子只能和3个P原子形成共价键，因此从整个晶体来考虑，共价键成分应等于92.5×3／4=71％，所以离子键成分占29％。　　纤维锌矿结构为：六方晶系、六角

2016-08-04 约7.7千字 47页立即下载

硅上III-V族半导体外延结构及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566423 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202011359732.1 (22)申请日 2020.11.27 (71)申请人北京邮电大学地址 100876

2023-05-08 约2.3万字 16页立即下载

化合物半导体制造项目营销方案.pptx 化合物半导体制造项目营销方案;目录;01;发展趋势;主要竞争对手;客户群体特征;市场需求预测;02;材料特性;性能对比;差异化竞争优势构建;;03;包括原材料成本、生产成本、研发成本、销售与市场营销成本等，全面了解产品成本结构。;根据市场定位和产品特点，制定差异化价格策略，如撇脂定价、渗透定价等。;;合作伙伴关系建立与维护;04;针对化合物半导体制造项目的专业性和高端性，明确品牌定位，突出技术领先和产品优势。;内容规划创新;技术研讨会策划;客户关系管理与忠诚度提升;05;;;加大研发投入，引进优秀人才，加强与科研院所的合作，确保公司技术水平与市场需求保持同步。;法律法规变化;06;项目成果总结

2025-04-15 约小于1千字 33页立即下载

半导体外延结构、半导体器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883405 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210604325.5 H01L 33/00 (2010.01)

2023-05-18 约1.88万字 14页立即下载

2025-03-23 约2.2万字 42页立即下载

化合物半导体的外延生长设备项目详细风险分析及评估报告.docx 化合物半导体的外延生长设备项目详细风险分析及评估报告 PAGE1 化合物半导体的外延生长设备项目详细风险分析及评估报告目录 TOC\h\z425序言 3 28336一、环保分析 3 5416(一)、建设期环境影响 3 3716(二)、营运期环境评价 5 31700(三)、环境管理与控制 7 2217(四)、环境改善与建议 8 268二、社交媒体与在线营销 10 9140(一)、社交媒体策略 10 7924(二)、在线广告与内容营销 10 12149(三)、社交媒体分析与ROI 10 13151三、化合物半导体的外延生长设备项目承办单位基本情况 11 4814(一)、公司基本信息 11 206

2025-03-12 约2.29万字 43页立即下载

2025年化合物半导体的外延生长设备项目效益评估报告.docx 化合物半导体的外延生长设备项目效益评估报告 PAGE1 化合物半导体的外延生长设备项目效益评估报告目录 TOC\h\z13935前言 3 11553一、化合物半导体的外延生长设备项目概论 3 20740(一)、化合物半导体的外延生长设备项目名称及投资人 3 19680(二)、编制原则 3 25710(三)、编制依据 4 30543(四)、编制范围及内容 5 319(五)、化合物半导体的外延生长设备项目建设背景 6 28200(六)、结论分析 7 20463二、劳动安全 9 5894(一)、编制依据 9 2729(二)、

2025-01-06 约2.84万字 53页立即下载

化合物半导体的外延生长设备项目指标评估报告.docx 化合物半导体的外延生长设备项目指标评估报告 PAGE1 化合物半导体的外延生长设备项目指标评估报告目录 TOC\h\z412前言 3 18111一、市场预测 3 32264(一)、行业发展概况 3 5767(二)、影响行业发展主要因素 4 23210二、化合物半导体的外延生长设备项目规划进度 5 19278(一)、化合物半导体的外延生长设备项目进度安排 5 20586(二)、化合物半导体的外延生长设备项目实施保障措施 6 20849(三)、质量与安全控制 7 7414(四)、化合物半导体的外延生长设备项目进度监控与调整 7 3974(五)、沟通与决策流程 8 13743三、环保分析 8 46

2025-03-27 约2.22万字 42页立即下载