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FBAR用AlN薄膜的MOCVD制备的开题报告

摘要：

本文介绍了使用金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在外延衬底上

制备铝氮化物（AlN）薄膜用于“外国账户银行申报（FBAR）”的应用。

通过优化反应条件，得到了具有高结晶度和良好厚度均匀性的AlN薄膜。

该研究为FBAR应用中AlN薄膜的制备提供了一种有效方法。

关键词：FBAR,AlN,MOCVD,外延衬底

1.引言

外国账户银行申报（ForeignBankAccountReport，FBAR）是美国

政府通过《海外账户知情法案》（ForeignAccountTaxComplianceAct，

FATCA）实施的一项措施，依据该法案，所有在美国境外的个人、实体等，

如持有外国金融账户，都需要向美国财政部门报告相关信息。其中，作

为FBAR中的核心元件之一的“共振频率谐振器（Resonator）”需要采

用铝氮化物（AlN）材料，因其具有高介电常数、厚度均匀性好以及稳定

的机械性能而备受青睐。

2.AlN薄膜的制备

AlN薄膜的制备方法很多，包括分子束外延（MBE）、化学气相沉积

（CVD）和金属有机气相沉积（MOCVD）等。在本研究中，我们选择了

MOCVD法制备AlN薄膜。

2.1实验装置

实验采用的是4英寸外延衬底的MOCVD生长系统，主要包括进气

系统、加热系统、惰性气氛保护系统等，同时配备了反应室内部传感器

及数据采集系统，质量流量控制器等。

2.2实验操作

以铝叔丁醇和氨气为前驱体进行反应，反应条件为：反应室总压力

1atm，反应温度1100℃，气相流量比为为2000：1。进气时间为15分

钟后开启惰性气体保护系统并将温度缓慢降至室温。

2.3结果分析

通过X射线衍射（XRD）及扫描电子显微镜（SEM）分析，得到的

AlN薄膜具有高结晶度，良好的厚度均匀性和光滑表面。其中，XRD图谱

显示出了AlN的典型衍射峰，证明了制备的AlN薄膜的结晶性。

3.结论

本文采用MOCVD法在外延衬底上制备了具有高结晶度和良好厚度

均匀性的AlN薄膜，为FBAR等高频器件的制备提供了一种有效方法。