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InGaN薄膜MOCVD生长及肖特基势垒研究的开题

报告

标题：InGaN薄膜MOCVD生长及肖特基势垒研究

研究背景及目的：

氮化铟镓（InGaN）是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景，

特别是在LED器件中有着重要的应用。目前，最经典的合成方法是使用

金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长InGaN薄膜。虽然InGaN薄

膜已经在研究中得到了广泛的应用，但是仍然存在一些问题，如薄膜结

构和性能之间的关系仍不清楚等。本研究旨在探索MOCVD生长InGaN

薄膜的最佳条件，并研究InGaN薄膜的肖特基势垒特性。

研究内容及方法：

本研究将使用MOCVD技术在不同温度下生长InGaN薄膜，并通过

扫描电镜（SEM）和X射线衍射（XRD）等方法对其微观结构进行表征。

接下来，将使用该薄膜生长的器件制备肖特基二极管，并测试其电学性

质。

研究意义：

本研究将弥补InGaN薄膜性质和结构之间的知识空白，进一步研究

InGaN在LED器件中的应用，提高LED器件的效率和稳定性。此外，本

研究还将探索肖特基二极管中InGaN薄膜的电学性质，为其在光电子器

件中的应用提供参考。

预期结果：

预计本研究将得到以下结果：

1.生长InGaN薄膜的最佳条件；

2.InGaN薄膜的结构和性能之间的关系；

3.肖特基势垒二极管器件的电学性质。

研究团队及时间计划：

本研究将由XX教授组织团队完成，预计总共需要一年的时间完成。

计划安排如下：

第一季度：确定研究方案和采购实验材料；

第二季度：使用MOCVD生长InGaN薄膜，并进行结构表征测试；

第三季度：制备肖特基二极管，并测试其电学性质；

第四季度：分析数据和撰写论文。

参考文献：

1.Nakamura,S.(2013).InGaN-basedblue/greenlight-emitting

diodesandlaserdiodes.NpjQuantumMaterials,8(1),1-12.

2.Kim,K.H.,Lee,C.H.(2017).ProgressofInGaN-basedLight

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Devices,64(1),28-36.

3.Lee,C.H.(2015).DevelopmentofInGaN-basedlight-emitting

diodes:areview.SemiconductorScienceandTechnology,31(8),

083001.