GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法.pdf

ICS29.045 H 83 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT30866 2014 碳碳化硅单晶片直径测试方法 Testmethodformeasurin diameterofmonocrstallinesiliconcarbidewafers g y 2014-07-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 / — GBT30866 2014 前 言 本标准按照 / — 给出的规则起草。 GBT1.1 2009 ( / ) ( / 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 SACTC203及材料分技术委员会 SACTC / )共同提出并归口。 203SC2 : 、 。 本标准起草单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 中国电子技术标准化研究院 : 、 、 、 、 、 、 、 。 本标准主要起草人 丁丽 周智慧 蔺娴 郝建民 何秀坤 刘筠 冯亚彬 裴会川 Ⅰ / — GBT30866 2014 碳化硅单晶片直径测试方法 1 范围 本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。 2 方法提要 , ( ), 避开碳化硅单晶片主副参考面 选取三个测量位置 如图 所示 沿直径方向用外径千分尺测量碳 1 , 。 化硅单晶片的三条直径 计算直径平均值和直径偏差 图 1 直径测量位置示意图 3 仪器设备 分度值为0.02mm的外径千分尺或精度相当的其他仪器。 4 试样准备 、 , 、 。 碳化硅单晶片应清洁 干燥 边缘应光滑 平整 5 测试环境 温度: 。 5.1 18℃~28℃ 5.2 相对湿度应不大于 75%。 6 测试程序 6.1 校