中华人民共和国国家标准半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试.PDF

ICS 29.045 H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T 6616-200× 代替 GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试 方法 非接触涡流法 Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge （报批稿） ××××- ××- ××发布 ××××- ××- ××实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 GB/T 6616-200× 前 言 本标准修改采用了 SEMI MF673-1105 《用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方 法》。 本标准与 SEMI MF673-1105 相比主要变化如下： ——本标准范围中只包括硅半导体材料，去掉了范围中对于其他半导体晶片的适用对象； ——本标准未采用 SEMI MF673-1105 中局部范围测量的方法 II； ——未采用 SEMI 标准中关键词章节以适合 GB/T1.1 的要求。 本标准代替 GB/T6616- 1995 《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法》。 本标准与 GB/T6616- 1995 相比，主要有如下变化： ——调整了本标准测量直径或边长范围为大于25mm； ——增加了引用标准； ρ 1 1 修改了第三章中的公式为R ，并增加了电导率； t G δt ——修改了第四章中参考片电阻率的值与表1指定值之偏差为小于±25%； 增加了干扰因素； ——修改了第六章中测试环境温度为23±1°C； ——规定了测试环境清洁度不低于10000级；仪器预热时间为20分钟； ——第七章中采用了SEMI MF673-1105标准中相关的精度和偏差。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准由万向硅峰电子股份有限公司负责起草。 本标准主要起草人:楼春兰、朱兴萍、方强、汪新平、戴文仙。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 6616-1995。 II GB/T 6616-200× 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 1. 适用范围 本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适