电工学课件秦曾煌﹝5﹞.ppt

多功能收音对讲机 多功能收音对讲机 14.1 半导体的导电特性 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间 如硅、锗、硒、大多数金属氧化物和硫化物 很多半导体的导电能力在不同条件下有很大的差别。 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 小结 本征半导体与杂质半导体的特点与导电机理 N型半导体与P型半导体的特点与导电机理 14.2 PN结及其单向导电性 P型和N型半导体虽然有都有一种载流子占多数（但整个晶体不带电），并不能直接用来制造半导体器件。 PN结是形成各种半导体器件的共同基础。 14.2 PN结及其单向导电性 14.2.1 PN结的形成 * 第14章 二极管和晶体管 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 双极性晶体管 14.2 PN结及其单向导电性 14.1 半导体的导电特性 14.6 光电器件 第14章 半导体器件 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理，理解特性曲线以及主要参数的意义； 三、会分析含有二极管的电路。 14.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入微量的某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 原因在于半导体的特殊结构——晶体结构（晶体管名称的由来） 14.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体,如硅、锗。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴 本征半导体的导电机理 空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 这一现象称为本征激发。 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，载流子定向运动（漂移 运动），在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 ?电子电流 (2)价电子递补空穴 ?空穴电流 注意： (1)温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 (2)本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差；如掺入某种微量杂质，导电能力会有显著增强。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。 半导体有两种导电粒子（载流子）：自由电子、空穴 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 掺入五价元素（磷、砷、锑） Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 多数载流子（多子）：自由电子 少数载流子（少子）：空穴 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素（硼、铝） Si Si Si Si 多子：空穴 少子：自由电子 B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a 多子的扩散运动 内电场