Renesa Agent FAE Examination_AP_2013 Jan(both english and chinese)英文版.doc

PAGE 第 PAGE 3 页 共 NUMPAGES 8 页 瑞萨电子2012年下半期代理商FAE能力测试及认证AP部分 公司名称 _______________________________________________________________ 参加人员名字________________________________________________________________ 邮件 ________________________________________________________________ 联系电话 ________________________________________________________________ Renesas Agent FAE Examination (AP) （注： 请把答案写在另外单独的答题纸上， 写清楚对应题型部分和题号， 对应题号后面即写上答案。 考试时间75分钟。 考试期间不能有任何noise， 不能上厕所等， 否则0分。 谢谢大家的配合！） PD产品测试题(PD Products Examination portion) 一.单项选择题（26分/每题2分） 一.Single Choice (26 cents / 2 Points For Each) 1.请问DPK（如RJH60D0DPK）表示（ B ） 封装？DPM(如RJH60D0DPM)表示（ D ）封装？ 1. Please select the Package Type such as DPK(For RJH60D0DPK)is means ( ) .DPM(For RJH60D0DPM) is means ( ) A. TO-247 B. TO-3P C. TO-220 D.TO-3PFM 2.快恢复二极管本身影响系统效率的因素是 答案：（ C ） 2. What’s the factor of FRD to affect the system efficiency. ( ) A．正向导通压降 B. 反向恢复时间 C. 以上都是 A. Forward voltage B. Trr C. Both of them. 3.下列哪个型号属于IGBT且内置快恢复二极管 （ B ） 3. The below type name which is belong to IGBT, also with FRD in building. ( ) A.RJP60D0DPK B.RJH60D0DPK C.RJU60C6SDPK 4. IGBT的饱和导通压降Vce（sat）和Tsc的关系 答案：（ A ） 4. What’s the relationship between IGBT’s Vce(set) and Tsc? ( ) A. Vce（sat）越高，Tsc越长 B. Vce（sat）越高，Tsc越短 C. 两者没有关系 A. Vce(sat) is higher, Tsc is longer. B. Vce(sat) is higher, Tsc is shorter. C. No relationship. 5.可控硅开通后，并且系统正常工作中，触发信号突然断掉，可控硅会 （ B ） 5. While the Triac is Turn-on and the system is work well, if the trigger signal is shut down suddenly. The triac will ( ) A. 立刻断开 B. 始终导通 C. 维持电流过小时，可控硅将关断 A. Turn-off immediately. B. Retain Turn-on C. If the Ih is too small, Triac will shut down 6.影响MOSFET的温升的因素有 （ D ） 6. What’s the factor which it affects temperature of MOSFET. ( ) A.导通阻抗 B.动态电容的大小