物理半导体量子器件物理讲座第三讲异质结双极晶体管HBT.pdf

讲 座 半导体量子器件物理讲座 第三讲 异质结双极晶体管(ΗΒΤ)3 王 良 臣 中国科学院半导体研究所 北京 摘 要 文章首先给出了同质结双极晶体管和异质结双极晶体管 在材料结构参数上的差异 这种差异表明 × 在器件的材料结构设计上已从掺杂设计步入到了能带工程设计 和同质结双极晶体管相比 具有更优越的性能 × 接着介绍了 的工作原理 典型的材料结构及器件的制作 × ! 关键词 双极型晶体管 能带工程设计 ΗΕΤΕΡΟϑΥΝΧΤΙΟΝΒΙΠΟΛΑΡ ΤΡΑΝΣΙΣΤΟΡΣ •2≤ ΙνστιτυτεοφΣεμιχονδυχτορσΧηινεσεΑχαδεμψοφΣχιενχεσΒειϕινγ Χηινα Αβστραχτ ×∏∏∏ ∏×∏√χ ∏∏√√∏× ∏×∏∏×∏2 Κεψωορδσ × 益 异质结双极晶体管 的电流增益截止频率 × 高 驱动能力强 适合于高速电路 它的相位噪声 前言 φ× 低 功率密度大 在低噪声大功率方面将发挥其特 年 提出了宽禁带材料作晶体管 ≥ 长 发射结的原理≈ 年 系统叙述了若 发射区材料的禁带宽度大于基区的禁带宽度可获 双极型晶体管的原理及基本材料结构 得很高的注入比≈ 年 ≈ 利用液相外延 ⁄∏ 方法首先制成了 Π异质结双极晶体管 同质结双极晶体管是利用同种半导体材料 如 随着分子束外延∞技术的出现与发展年 硅材料 制成的具有两个 结的晶体管 它是由 实验室利用 ∞获得了调制掺杂 Π 电子和空穴两种载流子参