半导体器件原理l02-双极型晶体管.pdf
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常用半导体器件——半导体二极管与双极型晶体管的基本特性与应用.pdf
第1章常用半导体器件
内容提要
半导体二极管以及双极型晶体管是最常用的半导体器件，它们是构成电
子电路的基本元件。本章从常用半导体材料及其导电特性、PN结的单向导电
性入手，重点讲解半导体二极管以及双极型晶体管的结构、工作原理、伏安
特性、主要参数及其应用举例。
学习目标
（1）理解PN结的形成及其单向导电性。
（2）理解二极管的伏安特性和主要参数，了解二极管的选用方法。
（3）了解二极管的常用电路模型，掌握二极管典型应用电路的分析
方法。
（4）理解双极型晶体管的电流放大原理、主要参数、输入特性、输出
特性及其分区；了解晶体管的选用方法；了解晶体管的简化小信号模型及其
使用条件。
（5）掌握
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GB/T 4587-2023半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管.pdf
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GBT4587 2023
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半导体器件物理双极型晶体管功率特性.ppt
第一页，共30页 4－1 基区串联电阻RB 一、基区串联电阻RB的组成特点 1、基区串联电阻RB的组成 如果把基极电流 IB 从基极引线经非工作基区流到工作基区所产生的电压降，当作是由一个电阻产生的，则称这个电阻为基极电阻，用 rB 表示。由于基区很薄，rB 的截面积很小，使 rB 的数值相当可观，对晶体管的特性会产生明显的影响。 第二页，共30页 基极电阻 rB 大致由下面四部分串联构成： ( 1 ) 基极金属电极与基区的欧姆接触电阻 rcon ( 2 ) 基极接触处到基极接触孔边缘的电阻 rB3 ( 3 ) 基极接触孔边缘到工作基区边缘的电阻 rB2 (
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半导体器件物理双极型晶体管功率特性.ppt
关于半导体器件物理双极型晶体管功率特性 第一页，共三十四页，2022年，8月28日 4－1 基区串联电阻RB 一、基区串联电阻RB的组成特点 1、基区串联电阻RB的组成 如果把基极电流 IB 从基极引线经非工作基区流到工作基区所产生的电压降，当作是由一个电阻产生的，则称这个电阻为基极电阻，用 rB 表示。由于基区很薄，rB 的截面积很小，使 rB 的数值相当可观，对晶体管的特性会产生明显的影响。 第二页，共三十四页，2022年，8月28日 基极电阻 rB 大致由下面四部分串联构成： ( 1 ) 基极金属电极与基区的欧姆接触电阻 rcon ( 2 ) 基极接触处到基极接触
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复旦-半导体器件-仇志军第二章双极型晶体管PN结解析.ppt
*/149 2.7.1 晶体管的开关作用 2.7 开关特性11 5. 晶体管开关过程中的少子分布 3. 储存过程 ts p 正偏 正偏 n+ n? D p 零偏 正偏 n+ n? C 抽取基区、集电区超量储存电荷 A . . 延迟时间 上升时间 B C D 储存时间 下降时间 . . ?A ?A ?A ?A */149 2.7.1 晶体管的开关作用 2.7 开关特性12 5. 晶体管开关过程中的少子分布 4. 下降过程 tf p 零偏 正偏 n+ n? C p 反偏 弱正偏 n+ n? B p 反偏 反偏 n+ n? A A . . 延迟时间 上升时间 B C D 储存时间 下降时间
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半导体器件物理(第四章双极型晶体管及其特性).ppt
减小开关时间的途径： （1）掺金 （2）减小发射结和集电结的面积 （3）减小基区宽度 （4）减薄外延层厚度，降低外延层的电阻率 4.3 晶体管的频率特性 4.3.3 晶体管的电流放大系数 1.共基极交流电流放大系数 特征频率 4.3 晶体管的频率特性 2.共发射极交流电流放大系数 直流情况下的关系式 近似成立 可见，共基极电路比共发射极电路频带更宽，常见于宽频和高频电路中。 4.3 晶体管的频率特性 4.3.4 晶体管的极限频率参数 1.特征频率 当工作频率远大于fβ时，工作频率和电流放大系数的乘积是一个常数。可以作为选用晶体管的一个重要参数，也可以用于测量。 增益带宽积
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半导体器件物理双极型晶体管功率特性.ppt
2、外延层穿通 (1) 外延层穿通现象 外延层厚度太薄时，造成集电区厚度Wc过薄，当集电结发生雪崩击穿之前，空间电荷区xdc已扩展到衬底n+层，即出现外延层穿通。 ?(2) 外延层穿通时的BC结击穿电压 上式中，BV为由集电区电阻率决定的击穿电压 （Xd）m为击穿电压等于BV时的耗尽层宽度 WC为集电区厚度 ?P-N-（外延层）-N+（衬底）外延结构的击穿电压，低于BV（P-N-），高于BV（P-N+）。 ? 参考：P-N+击穿电压变小的原因，重掺杂区对电场起“屏蔽”作用，即空间电荷区集边不向重掺杂区再扩展，这样使得再增加的电场都叠加
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极型晶体管》最新解读
一、双极型晶体管标准演变及GB/T4587-2023概览
（一）标准历史沿革
1.GB/T4587-1984：1984年首次发布，这是我国针对半导体分立器件中双极型晶体管标准化工作的开端。彼时，国内半导体产业处于初步发展阶段，该标准的制定为产业规范化发展奠定了基础，从基本的晶体管参数定义、测试方法等方面做出了规定，让国内相关生产、研发工作有了初步的标准可依。
2.GB/T4587-1994：在1984版基础上进行修订，随着半导体技术不断发展，新的测试
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第1章双极型半导体器件祥解.ppt
Sect 例1.4.1. 所有的二、三极管均为硅管，用试分析图电路中各三极管的工作状态。 解: (1) VT1: 基极与最下端的电位差是1V-0.3V=0.7V，0.7V打不开二个硅PN结。所以三极管截止。 (2) VT2: 基极与最下端的电位差是6V-0V=6V，导通， 设此时UBE=0.7V，发射极电流 所以，集电极电位 集电极电位不可能为负值，三极管VT2已经饱和,设UCE=0V，于是集电极电流最大为 (3) 对于VT3基极与最下端的电位差是5V-3.6V=1.4V， 基极电流 所以发射结导通。但是该三极管的集电极接+1.4V，而发射极接+3.6V，发射极和集电极互
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L02-双极型晶体管.ppt
半导体器件原理主讲人：蒋玉龙
本部微电子学楼312室mail:1
第二章双极型晶体管2.1根本结构、制造工艺和杂质分布2.2电流放大原理2.3直流特性2.4反向特性2.5晶体管的模型2.6频率特性2.7开关特性2
2.1根本结构、制造工艺和杂质分布12.1.1晶体管的根本结构n+pnEBC发射区基区集电区p+npEBC发射区基区集电区ECBnpnECBpnp3
2.1根本结构、制造工艺和杂质分布22.1.2制造工艺合金管平面管4
2.1根本结构、制造工艺和杂质分布32.1.3杂质分布均匀基区缓变基区基区内载流子传输方式自建电场扩散扩散漂移+扩散型晶体管漂移型晶体管5
第二章双极型晶体管2.1根
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半导体分立器件双极型晶体管(SOT-89封装)详细规范2023版 .pdf
半导体分立器件双极型晶体管(SOT-89封装)详细规范2023版--第1页
双极型晶体管（SOT-89封装）详细规范
1范围
本规范规定了双极型晶体管（SOT-89封装）的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、
贮存及使用的要求。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T4589.1-2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范
GB4590-84半导体集成电路机械和气候试验方法
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GB/T 4587-1994半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管.pdf