.电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜.pdf

第 C 卷 第 期 感 光 科 学 与 光 化 学 K4 C LK 4 年 月 ， +## + M%-2-N8=M%0) ,)05L)5 =L9 M%-2-)%560,28O P/Q 4 +## #################################################### !!!!!!! ! 研究论文 ! ! !!!!!! 电化学沉积制备半导体 !#$%’ 薄膜 申承民，张校刚，力虎林 （兰州大学 化学系，兰州 !#### ） 摘 要： 本文报道恒电位法在 为 的 、 、 （ ）溶液中，在 电 $% ’( )* ,- ,/- 01 ,- 23 + . + + . 极上 电化学沉积制备 纳米薄膜 研究络合剂柠檬酸和酒石酸对制备 )*01,/+ 4 纳米薄膜的影响 扫描电子显微镜（ ）结果表明，加入络合剂后，电化 )*01,/+ 4 ,56 学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀、致密 射线衍射（ ）分析显示，制备的 4 7 789 )*01,/+ 薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混和物，添加柠檬酸和酒石酸后，衍射峰增 强，晶形变好 制备的薄膜颗粒尺寸大小在 左右，造成粒度增大的原因是 4 +(# 1: 由于颗粒的团聚作用4 关 键 词：电沉积；半导体；纳米薄膜 文章编号： （ ） 中图分类号： 文献标识码： ### + +## # ### #; -. = ! ! ! 近几年， 族的三元半导体化合物 （ ）引起人们的广泛兴趣，虽然它 !#!$ )*01,/ )0, + + 具有较低的禁带宽度（ ），但在太阳能器件中具有高的转换效率（ ）和光吸收系 ’#( / ( ? ［ ］ 数（ @ # A ( B: A ），是一种较理想的光电转换材料 A + 4 目前，制备半导体 )0, 薄膜的方 ! ［，］ 法有很多，主要有喷雾热解、多源蒸发、分子束溅射及化学气相法（ ）等 . ，但它们