电化学法制备的CoFe_2O_4薄膜_付若鸿.pdf

研究· 分析·实验 电化学法制备的CoFe O 薄膜 2 4 付若鸿，钟智勇，吴卫波，查 杰，张怀武 ( 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 610054) 摘 要:首先在硫酸盐溶液中由电镀法制备 CoFe2 合金薄膜，然后采用阳极氧化法在碱性溶液中氧化 CoFe2 合金薄膜制备 CoFe O 薄膜，再在空气气氛中、600℃退火 3h。用原子分光光度计（AAS ）法测量合金中Co2+ 、 2 4 Fe2+ 的含量。由质量法测定铁钴合金薄膜的厚度，研究了电镀 CoFe 合金薄膜的工艺条件（电压、时间、温度） 2 对 CoFe2 薄膜厚度的影响。分别用 X 射线衍射仪（XRD ）、扫描电子显微镜（AFM ）和振动样品磁强计（VSM ） 观测薄膜的相成分、表面形貌和磁性能。结果表明，制备的 CoFe O 薄膜具有尖晶石结构，退火促进了 CoFe O 2 4 2 4 薄膜的结晶，降低了饱和磁化强度，但增大了矫顽力。 关键词: CoFe2O4 薄膜；电镀; 薄膜结构; 磁性能 中图分类号：O484.4+3 文献标识码：A 文章编号：1001-3830(2008)05-0026-03 Electrochemical Synthesis of CoFe O Thin Films 2 4 FU Ruo-hong, ZHONG Zhi-yong, WU Wei-bo, ZHA Jie, ZHANG Huai-wu State Key Laboratory of Electronic Thin Film and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology , Chengdu 610054, China Abstract: CoFe2 alloy films were electrodeposited from simple aqueous sulphate bath. Then electrochemical anodization of electrodeposited CoFe alloy films in alkaline solution is depicted as a route for preparing CoFe O thin 2 2 4 films. The prepared films were annealed at 600℃ for 3h. The compositional analyses of Co-Fe alloy films were carried out using atomic absorption spectroscopy (AAS