模拟电子技术第二章.ppt

****电阻的作用一是起限流保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。5VR1R2ID1ID2已知：R2=1k，Vr=0.65V，求R1，使2ID1=ID2第38页,共57页，星期六，2024年，5月2.4二极管的应用2.4.12.4.22.4.32.4.42.4.5整流电路检波电路箝位电路限幅电路稳压电路2.4.6简介门电路2.4.7第39页,共57页，星期六，2024年，5月二极管=PN结+引线+管壳。类型：点接触型、面接触型和平面型(1)点接触型—(a)点接触型结构类型2.4.1简介第40页,共57页，星期六，2024年，5月(c)平面型(3)平面型—(2)面接触型—(b)面接触型符号旧符号新符号阳极(Anode)阴极(Cathode)标记D1D2Diode第41页,共57页，星期六，2024年，5月发射相干单色光的特殊发光二极管。主要用于小功率光电设备，如光驱、激光打印头等。将电信号转换为光信号的器件，常用于显示，或做光纤传输中的光发射端。5、激光二极管(LD)4、发光二极管（LED）2、稳压二极管将光信号转换为电信号的器件，常用于光的测量，或做光电池。种类1、普通二极管3、光电二极管第42页,共57页，星期六，2024年，5月半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。第43页,共57页，星期六，2024年，5月2.4.2整流电路（理想二极管）见第十一章第44页,共57页，星期六，2024年，5月2.4.3检波电路第45页,共57页，星期六，2024年，5月输入（红色）和检波后的输出（黑色）检波电路的时间常数选择十分关键第46页,共57页，星期六，2024年，5月2.4.4箝位电路（理想模型或恒压降模型）第47页,共57页，星期六，2024年，5月2.4.5限幅电路（恒压降模型）1.7V0.7V第48页,共57页，星期六，2024年，5月2.4.6稳压电路一、稳压二极管应用在反向击穿区（雪崩击穿和齐纳击穿）（一）符号、伏安特性和典型应用电路(b)(b)伏安特性第49页,共57页，星期六，2024年，5月（二）主要参数(1)VZ—稳定电压(2)IZ—稳定工作电流IZmin~IZmax(3)PZM—最大耗散功率取决于PN结的面积和散热等条件，超过则热击穿PZM=VZIZmax第50页,共57页，星期六，2024年，5月稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻（电阻的作用：限流保护）。稳压范围有限、噪声较大注意：第51页,共57页，星期六，2024年，5月VI↑→VO↑(1)输入电压变化时(2)负载电流变化时IL↑→IR↑→VR↑→VZ↓（VO↓）→IZ↓→IR↓→VR↓→VO↑→VO↓→VR↑↑→IR↑↑→IZ↑↑→VZ↑二、电路原理第52页,共57页，星期六，2024年，5月Izmin：当输入电压最小，负载电流最大时Izmax：当输入电压最大，负载电流最小时(1)(2)三、稳压电阻的计算第53页,共57页，星期六，2024年，5月2.4.7门电路第54页,共57页，星期六，2024年，5月第55页,共57页，星期六，2024年，5月分析如下电路，求电阻R1的压降和电流第56页,共57页，星期六，2024年，5月多二极管电路的分析（恒压降模型）V+=5V，V-=-5V，当Vi=0V或4V时，求Vo，id1，id2第57页,共57页，星期六，2024年，5月******+说明单个硅原子外层结构（b）图****************二极管模型举例**其伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。（2）电子空穴对电子(-)空穴(+)Si原子价电子自由电子空穴热激发原自由电子位置复合随着温度升高由于本征激发（热激发）产生自由电子和空穴自由电子