微电子制造技术概述-张景文-第一章概论.pptx

微电子制造技术概述 张景文 2014-2-23;Silicon Germanium GeSi GaAs InP GaInAsP GaN/AlGaN MCT 2DEG Transistor FET MSFET HEMT HBT MOSFET MODFET IGBT SBD LED LD CCD Solar Cell LCD CNT Diamond Graphene QD QW MoS2 ;Silicon Germanium SiGe GaAs InP GaInAsP GaN/AlGaN MCT（Mercury Cadmium Telluride） 2DEG（Two Dimensional Electron Gas） Transistor（Transfer Resistor） FET（Field Effect Transistor） MSFET（Metal Schottky Field Effect Transistor） HEMT（High Electron Mobility Transistor） MODFET（Modulation Doped Transistors） HBT（ Heterojunction Bipolar Transistor ） MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor） IGBT（(Insulated Gate Bipolar Transistor) SBD（Schottky Barrier Diode） LED（Light Emitting Diode） LD（Laser Diode） CCD（Charge-coupled Device） Solar Cell LCD（ Liquid Crystal Display ） CNT（Carbon Nanotube Diamond Graphene QD（Quantum Dots） QW（Quantum Well） MoS2 ;电子工业——全球最大的产业，也是全球发展最快的产业，同时在深深地影响人类的生活方式;半导体知识回顾;半导体器件物理与工艺研究什么？;为什么要学习该课程？;理由很简单;半导体工业的核心是什么？;集成电路【Integrated Circuit：IC】——核心;IC的战略地位;SIA——据美国半导体协会统计到2012年;世界GDP增长与世界集成电路产业增长情况比较;两个例子;90年代日本经济萧条的同时，集成电路市场份额严重下降。;我国台湾地区;中国IT企业与Intel公司利润的比较;微电子对传统产业的渗透与带动作用;对国家安全与国防建设的作用;对信息社会的重要性;微电子产业的战略重要性;2、半导体器件;半导体器件的基础结构;半导体器件的基础结构（续）;半导体器件中的4种最基本结构，组成：;主要半导体器件;三极真空管;电子管的缺点;重要里程碑;重要里程碑;J E Lilienfeld FET的设想;重要里程碑;晶体管的发明;第一支晶体管的诞生;第一支晶体管的诞生;第一只晶体管(半导体电子增幅器);1947年12月23日 第一个晶体管 NPN Ge晶体管 W. Schokley J. Bardeen W. Brattain ;1947年12月23日W. H. Brattain实验记录;1956年中国第一支点接触锗合金晶体管研制成功 ;集成电路的发明;德诺宜斯把这一工作推向微芯片化;1958年第一块集成电路：TI公司的Kilby，12个器件，Ge晶片;2000年Nobel物理奖;平面工艺技术;PN结平面工艺基本步骤;PN结制备基本工艺步骤;重要里程碑;其他的重要里程碑（续）;1960年由姜(Kahng)及亚特拉(Atalla)发明的MOSFET，是先进集成电路最重要的器件;其他的重要里程碑（续）;其他的重要里程碑（续）;1979年半导体晶体管和芯片的产值达到100亿美元 1981年，Gerd Binning和Heirich Rohrer发明STM，测控单个原子并成像 1981年IBM PC投放市场 1985年巴基球发现，直径1nm 1985年Yoshida纳米微机械投放市场 1986年1000nm CMOS量产 1986年AFM出现 1987年量子霍尔效应发现 1990半导体芯片产值500亿美元 2000年半导体芯片产值2000亿美元，克林顿政府启动国家纳米技术计划 纳米电子时代开始;重要里程碑;重要里程碑;英特尔酷睿i7处理器;重要里程碑;2010年11月，NVIDIA发布全新的GF110核心，含30亿个晶体管，采用先进的40纳米工艺制造。;半导体技术;一些关键的半导体技术;半导体工艺技术;具有里程碑意义的技术（续）;具有里程碑意义的技术（续）;具有里