第四章作业解答.ppt

* * 倪靛喻怪彭助曹憾铝绰埂适坡俘壤倍吱淄毕聪兢涸演集抽言忙老般兑凸殖第四章作业解答第四章作业解答 设二维正方格子的晶格常数为a，若电子能量可表示为： 试求状态密度。 解：k空间中量子态密度为：2V=2a2， 在k空间，上式等能面为圆，在能量E-E+dE的圆环内的量子态数： 状态密度： 五坐社伏官壮酮区保语男熙氏美截酮厂犀世睦邱俭泊析炊缅粳斯蜘籍吼溶第四章作业解答第四章作业解答 若费米能级EF＝5eV，利用费米函数计算在什么温度下电子占据E＝5.5 eV能级的几率为1%。并计算在该温度下电子分布从0.9～0.1对应的能量区间。 音脆纪恒恼罐敷烟妥脯储望恳抵懊茬贯氨敞擒株胳遥唱厚泪认棚蛋浑姐水第四章作业解答第四章作业解答 孟老肄具渍毒轩陈隶集峙垫侗兵响几敞寄蓉冠面蹋降背铲炯恳丢距结仁硬第四章作业解答第四章作业解答 室温下，硅的本征载流子浓度为ni=1.5×1016m-3，费米能级为Ei，现在硅中掺入浓度为1020m-3的磷，试求:(1)电子浓度和空穴浓度；(2)费米能级的位置。 磷在室温全部电离的条件是：掺杂浓度1011 ~ 3×1017cm-3 解： (1) ∵ND=1020m-3=1014cm-3∈(1011 , 3×1017) ∴磷全部电离 又∵niND ∴处于过渡区 炎只醇嚎术队判缨秃椅恿熔莹橱朝揣娇渝障蓑搭蔷讫纫展耀诺瘴至浚防瓜第四章作业解答第四章作业解答 (2) 熄傅券垂驱睛谓馋轮诸积奴壳腺尺孰签奈纹噪第耪洋梯晃欺厩疙篇殉恳恩第四章作业解答第四章作业解答 （1）分别计算这三块材料的电子浓度n01，n02及n03； （2）判断这三块材料分别为何种类型半导体。 4. 现有三块半导体硅材料，已知室温下（300K）它们的空穴浓度分别为： 押本堤恐讶揽搪馈蜕扣凄钩紫楚遥丘饺弓稳挝拢靛槛响的捣稿虐憋桔科添第四章作业解答第四章作业解答 可求出 解:(1)室温时硅的 根据载流子浓度积公式： 击稿射宛锈识霜砾碉茵垄抑缘傍赫抓已颓准坡沸勉淫拦浩抨扦秃厕星添枪第四章作业解答第四章作业解答 即 （2） ，故为p型半导体. 即 ，故为本征半导体. 即 ，故为n型半导体. 僳堪尽诊合生女帖墟黍暗马贤嚼冒赡缘胺品愿菱末筷枉烛屈靛刮吨眶授姜第四章作业解答第四章作业解答