《LED晶片制程》课件.ppt

LED晶片制程

欢迎参加LED晶片制程技术讲解。本次演讲将深入探讨LED芯片的制造

工艺、技术创新和行业发展。让我们一起揭开LED芯片制造的神秘面纱

。

LED技术发展

11907年

电致发光现象首次被发现

21962年

第一个实用红色LED问世

31990年代

蓝光LED突破，白光LED实现

421世纪

高亮度、高效率LED广泛应用

LED基础知识

发光二极管工作原理

LED是LightEmitting通过电子-空穴复合释放能

Diode的缩写，是一种半导量，转化为光子发光

体发光器件

优势

高效率、长寿命、环保节能、体积小、响应快

LED结构

电极

1正负极电极

有源区

2

发光层

P型和N型半导体

3

形成PN结

衬底

4

支撑整个结构

LED光子电子特性

电子特性光学特性

•正向电压降•发光波长

•反向击穿电压•光谱宽度

•电流-电压特性曲线•光输出效率

LED发光机理

电子注入

电子从N型区注入到P型区

空穴注入

空穴从P型区注入到N型区

载流子复合

电子与空穴在有源区复合

光子发射

复合过程释放能量形成光子

LED制程概述

1234

衬底准备外延生长芯片加工封装测试

选择合适的衬底材料生长半导体薄膜光刻、刻蚀等工艺芯片封装和性能测试

衬底材料

蓝宝石碳化硅

广泛用于蓝光LED，晶格匹配性好，透明度高导热性好，适用于大功率LED

氮化镓硅衬底

同质外延，减少缺陷，提高发光效率成本低，适合大规模生产，但热膨胀系数不匹配

外延生长

MOCVDMBE

金属有机化学气相沉积，主流外延分子束外延，精确控制但生长速度

技术