led晶片制作过程(行业必备).ppt

LED芯片 LED的基本概念及发光原理 LED芯片工艺 LED制程工艺（1） — P 面蒸镀 LED制程工艺（2） — N面蒸镀 LED制程工艺（3） — 电极制作（A） LED制程工艺（3） — 电极制作（B） LED制程工艺（4） — 切割 SIZE LED制程工艺初步统计及小结 相关设备 （续） （续） （续） （续） LED颜色跟材料之间关系 现有芯片的颜色对应的波長 紫光波长: 370-385nm 藍光波長: 450-470nm 綠光波長: 510-530nm 紅光波長: 620-630nm 黃光波長: 580-595nm LED芯片的发展（1） — 外观结构 LED芯片的发展（2） — 镀层、衬底 大功率芯片是LED主流发展  — 常用结构 什麼是大功率芯片 一、尺寸： 1、24mil * 24mil 2、27mil * 27 mil 3、30mil *30 mil 4、40mil * 40mil 5、45mil * 45mil 6、60mil * 60 mil 二、电流： 1、 150mA 0.5w 2、 350mA 1.0w 3、 700mA 3.0w 4 、1000mA 5.0w LED 封 装 — 大功率 LED封装发展 绿色走势 藍光芯片市場主流 單晶粒藍光LED 藍光芯片主要用於封裝LED白燈 YAG Phosphor for White LED 藍光激發螢光粉可藉由調整成份改變白光 LED 的色溫 以紫外光激發紅藍色綠三色螢光粉 白光LED種類 大功率市場的主要競爭對手分析 芯片銷售須知：一般客戶需要提供芯片要求資料 芯片尺寸：　單位: mil 波長: 單位: nm 電壓：單位:V 封裝後亮度要求：　單位：lm流明 用量：　單位：K * * Unity Opto Technology LED（Lighting Emitting Diode）即发光二极管，是一种半导体固体发光器件，它是能够将电能转化光能的电子器件并具有二级管的特性。 LED内部基本结构: 两个运动：复合运动、漂移运动 + - N 区 P区 空穴注入 结区 入注子电 发光区 N-GaP-Si Al GaAs GaInP-Al P-GaP-Mg Au AuBe Au Ti Au Au AuGeNi Ni 1、LED 芯片基本结构 2、工程设备 MOCVD (金屬有机物化学氣相沉淀法) VPE (气相磊晶) N极 P极 发光区 上游成品（外延片） 研磨（减薄、抛光） 正面涂胶保护（P面） 化学抛光 腐蚀 蒸镀（P面） 蒸镀（N面） 黄光室涂胶 去腊清洗、库房 去胶清洗 清洗 清洗 涂胶前先涂光阻附着液 光罩作业 腐蚀金、铍 合金 蒸镀钛、铝（P面） 套刻 腐蚀铝、钛 切割工序 半切 显影、定影 去胶清洗 涂胶 去胶清洗 客户要求较高的 中游成品 点测 一刀切 客户要求不高 送各封装厂 显影、定影 全切 LED芯片制作工艺流程 CaAs衬底 N-GaP-Si GaInP-Al （发光层、 也称为本活性层） P-GaP-Mg 蒸镀Au（P面） 蒸镀AuBe（P面） 蒸镀Au（P面） GaAs P面蒸镀 N-GaP-Si GaInP-Al P-GaP-Mg Au AuBe Au P面 N面 P面蒸镀 蒸镀Au（N面） 蒸镀AuGeNi（N面） 蒸镀Ni（N面） 蒸镀Au（N面）