MOCVD技术制备In2O3紫外光电探测器研究.docx
MOCVD技术制备In2O3紫外光电探测器研究
目录
MOCVD技术制备In2O3紫外光电探测器研究（1）．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
一、内容概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
研究背景和意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
研究现状和发展趋势．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4
研究内容和方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5
二、MOCVD技术原理及特点．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．7
MOCVD技术基本原理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．7
MOCVD技术特点．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．8
MOCVD技术在In2O3制备中的应用．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．9
三、In2O3紫外光电探测器制备工艺．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．10
制备工艺流程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11
制备工艺参数优化．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12
探测器结构设计与优化．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．13
四、In2O3紫外光电探测器性能研究．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14
光电性能参数测试．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．15
探测器性能与工艺关系分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．17
探测器性能对比分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．18
五、MOCVD技术制备In2O3紫外光电探测器实验研究．．．．．．．．．．．．．．19
实验材料与设备．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．20
实验过程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．21
实验结果与分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．22
六、In2O3紫外光电探测器性能优化及应用前景．．．．．．．．．．．．．．．．．23
性能优化途径．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．24
应用领域及前景展望．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．24
七、结论与展望．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．26
研究成果总结．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．27
研究不足之处及改进建议．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．27
对未来研究的展望．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．28
MOCVD技术制备In2O3紫外光电探测器研究（2）．．．．．．．．．．．．．．．．．29
内容概览．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．30
1.1研究背景和意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．30
1.2国内外研究现状综述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．32
MOCVD技术简介．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．33
2.1MOCVD技术原理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．33
2.2MOCVD设备介绍．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．34
2.3MOCVD工艺流程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．35
In2O3材料特性分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．35
3.1In2O3晶体生长方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．37
3.2In2O3的光学性能．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．