用于日盲深紫外光电探测器件的透明电极及其制备方法.pdf

紫外光电探测器及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116469956 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202310356611.9 (22)申请日 2023.04.04 (71)申请人浙江芯科半导体有限公司

2023-07-19 约1.65万字 15页立即下载

一种深紫外光电探测器及其制备方法和应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551626 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210166042.7 (22)申请日 2022.02.22 (71)申请人吉林大学地址 130012 吉林

2023-05-07 约2.08万字 18页立即下载

用于高增益紫外光电探测器的碳化硅超构表面及制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883423 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210558336.4 H01L 31/18 (2006.01) (22)申请日 2022.05.

2023-05-16 约1.1万字 12页立即下载

自供电MSM型ZnO基紫外光电探测器及制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883434 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210364667.4 (22)申请日 2022.04.08 (71)申请人华南理工大学地址 510640

2023-05-15 约1.14万字 9页立即下载

基于极性二维材料量子阱的pn型β-Ga2O3日盲深紫外光电探测器.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864711 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210646462.5 (22)申请日 2022.06.08 (71)申请人西安电子科技大学

2023-05-16 约2万字 12页立即下载

一种抗辐照氧化镓紫外探测器及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566562 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210221904.1 (22)申请日 2022.03.09 (71)申请人浙江理工大学地址 310000

2023-05-06 约8.24千字 7页立即下载

2025-02-25 约3.09万字 46页立即下载

六方氮化硼单晶的制备及其深紫外光电探测器的研究.docx 六方氮化硼单晶的制备及其深紫外光电探测器的研究一、引言随着科技的进步，光电探测器在众多领域中发挥着重要作用，特别是在深紫外光谱范围内。六方氮化硼（h-BN）单晶作为一种具有优异光电性能的材料，在深紫外光电探测器领域具有广阔的应用前景。本文旨在探讨六方氮化硼单晶的制备方法，并对其在深紫外光电探测器中的应用进行研究。二、六方氮化硼单晶的制备 1.制备方法六方氮化硼单晶的制备主要采用化学气相沉积法（CVD）。该方法通过在高温高压环境下，将氮气和硼源气体反应生成六方氮化硼，并沉积在合适的基底上形成单晶。 2.制备过程（1）选择合适的基底，如蓝宝石、石英等。（2）将基底置于CVD反应室中，并

2025-02-15 约4.23千字 9页立即下载

MgZnO薄膜及其紫外光电探测器制备和特性研究的开题报告.docx MgZnO薄膜及其紫外光电探测器制备和特性研究的开题报告开题报告题目：MgZnO薄膜及其紫外光电探测器制备和特性研究研究背景和意义：随着近年来技术的快速发展，紫外光电探测技术的应用越来越广泛。其中，MgZnO材料作为一种具有优异光电性能的材料，受到了人们的广泛关注。MgZnO材料具有较高的载流子迁移率、宽带隙和优异的透明性等优势，因此在紫外光电探测、太阳能电池、发光二极管等领域具有很好的应用前景。目前，MgZnO薄膜的制备和性能研究已经成为研究的热点。许多学者通过不同的方法研究了MgZnO薄膜的制备和性能，但是目前还存在一些问题，如MgZnO薄膜的制备条件和工艺需要进一步改进，材料的

2024-07-23 约1.46千字 2页立即下载

宽禁带紫外光电探测器.ppt 主要内容一、引言 ◆ 第一代元素半导体材料Si以及第二代化合物半导体GaAs、InP等材料由于具有禁带宽度小、器件长波截止波长大、最高工作温度低等特点而使得器件的特性及使用存在很大局限性，满足不了目前军事系统的要求。 ◆ 第三代宽带隙半导体材料主要包括SiC、GaN、ZnO和金刚石等，同第一、二代电子材料相比，具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好等特点，适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件；而利用其特有的宽禁带，还可以制作蓝、绿光和紫外光的发光器件和光探测器件。一、引言一、引言 ◆ 在紫外探测器方面，目前已投入商业和军事应用的比较常见的是光电倍增管

2017-06-01 约7.21千字 33页立即下载

铁电极化增强型Ga2O3基自驱动紫外光电探测器研究.docx 铁电极化增强型Ga2O3基自驱动紫外光电探测器研究一、引言随着科技的进步，紫外光电探测器在军事、环境监测、生物医学等领域的应用越来越广泛。其中，Ga2O3基紫外光电探测器以其优良的紫外响应性能、高稳定性等特点，成为了当前研究的热点。本文针对铁电极化增强型Ga2O3基自驱动紫外光电探测器进行研究，以期通过引入铁电极化效应来进一步提高探测器的性能。二、Ga2O3基紫外光电探测器概述 Ga2O3作为一种宽禁带半导体材料，具有优良的紫外响应性能和化学稳定性。在紫外光电探测器领域，Ga2O3基材料以其独特的性质，如高光响应性、高稳定性、抗辐射性等，受到广泛关注。然而，其响应速度和灵敏度仍有待提高。

2025-03-24 约3.89千字 8页立即下载

SnO2微米线阵列膜激光加工制备与紫外光电测器研究探测器研究.docx SnO2微米线阵列膜激光加工制备与紫外光电测器研究探测器研究一、引言随着科技的不断进步，紫外光电探测器在众多领域中扮演着越来越重要的角色。SnO2作为一种具有优异光电性能的材料，其微米线阵列膜的制备及其在紫外光电探测器中的应用研究，已成为当前科研的热点。本文将详细介绍SnO2微米线阵列膜的激光加工制备方法，并对其在紫外光电探测器中的应用进行深入研究。二、SnO2微米线阵列膜的激光加工制备 2.1材料选择与准备首先，选择合适的SnO2原料，并进行预处理，如研磨、筛分等，以获得适合激光加工的颗粒尺寸。同时，准备基底材料，如硅片、玻璃等，进行清洗和预处理，以备后续使用。 2.2激光加工制备方

2025-05-31 约4.42千字 9页立即下载

光电探测器及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464694 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210023552.9 (22)申请日 2022.01.10 (71)申请人华南师范大学地址 510006

2023-05-07 约1.33万字 12页立即下载

紫外透明导电电极赋能光电化学紫外探测器的性能优化与应用拓展.docx 紫外透明导电电极赋能光电化学紫外探测器的性能优化与应用拓展一、引言 1.1研究背景与意义随着科技的飞速发展，光电化学紫外探测器在诸多领域展现出了极为重要的应用价值。在环境监测领域，其可用于检测大气中的臭氧、氮氧化物等污染物，这些污染物在紫外线的作用下会发生特定的光化学反应，光电化学紫外探测器能够精准捕捉这些反应产生的信号变化，从而实现对污染物浓度的实时监测。如在城市空气质量监测站中，利用此类探测器可以及时掌握空气中有害气体的含量，为环境保护部门制定治理措施提供关键的数据支持。在生物医疗领域，光电化学紫外探测器也发挥着关键作用。例如在DNA测序技术中，需要利用紫外线激发荧光标记的碱基

2025-05-23 约3.17万字 24页立即下载

一种含(BA)2Cs5Pb6Cl19钙钛矿层的可见光盲紫外探测器及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113346021 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110391061.5 (22)申请日 20

2023-06-17 约2.23万字 13页立即下载