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《 纤锌矿体横光学声子双模性对AlxGa1-x-GaN量子阱中电子迁移率的影响》范文.docx

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《纤锌矿体横光学声子双模性对AlxGa1-x-GaN量子阱中电子迁移率的影响》篇一

纤锌矿体横光学声子双模性对AlxGa1-x-GaN量子阱中电子迁移率的影响一、引言

随着半导体材料技术的不断发展，纤锌矿体因其独特的物理和化学性质，在电子器件领域中得到了广泛的应用。尤其是在AlxGa1-x/GaN量子阱结构中，纤锌矿体的性能对于电子的迁移率有着重要的影响。本文将探讨纤锌矿体横光学声子双模性对AlxGa1-x/GaN量子阱中电子迁移率的影响。

二、纤锌矿体横光学声子双模性概述

纤锌矿体具有独特的晶体结构，其横光学声子具有双模性。这种双模性源于纤锌矿体内部原子振动的复杂性，导致声子模式在能量和动量

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