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微电子复习.ppt.ppt

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Ch7 逻辑模拟 电路模拟 时序分析的作用和必要性 器件模拟 工艺模拟 模块化设计 分层分级设计 全定制 标准单元库 母片 可测性设计 1 集成电路设计的特点(与分立元件电路的区别) 2 集成电路设计信息描述的方法 3 集成电路的基本设计流程 4 自顶向下(top—down)——分层分级设计 由底向上——人工版图设计 5 集成电路的设计规则是什么,有哪两种方法,对比其特点。 6 全定制设计方法 设计反相器的棍形图、掩模版图 设计二输入与非门、或非门的棍形图 7 SC法、BLL法、GA法和可编程逻辑电路设计法的特点以及区别 8 门阵列法(GA法) 掌握CMOS门阵列六单元管的结构并设计三输入与非门、或非门等基本电路 共价键 离子键 金属键 分子键 晶格的种类 缺陷的种类 点缺陷的种类 衬底材料的发展 化学气相淀积CVD 外延 正胶与负胶 钻蚀 替位式扩散和间隙式扩散 退火 1 比较常见的三种光刻方法的优缺点及适用范围。 2 集成电路制造工艺中制备二氧化硅最常用的两类方法是什么,分别适用于制备那种类型(六种)的二氧化硅层。 3 MOS集成电路标准场氧化隔离、局域氧化隔离和开槽回填隔离工艺。 4 CVD的常用方法有哪些?CVD方法能制备哪些薄膜 5 MOS集成电路的工艺流程 6比较三种常用的干法刻蚀 CH3 1常用的三种MOS管的栅极工艺是什么,比较其优缺点? 2用MOS和CMOS构成的开关、反相器有什么区别? 3熟练掌握CMOS构成反相器、逻辑门(与非、或非)的电路图 4存储器的种类 Ch2 电子与空穴 施主杂质与受主杂质 平均漂移速度 雪崩击穿与隧道击穿 MIS结构 阈值电压 1 画出PN结的结构图标出各区域的位置及其自建场的方向,决定PN结单向导电的两个效应是什么,简述它们的物理原因。 2 简述正向PN结电流的传输与转换的过程,这个过程的特点是什么。 3 双极型晶体管(npn管)的基本结构是什么,画出它正常工作的偏置情况,说明其载流子运输的过程。 Ch1 集成电路的分类 微电子产业分为哪三种具体行业 摩尔定律 * CH6 V DD V ss Ch5 Ch4 *
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