场效应晶体管、包含所述晶体管的装置及其形成和使用方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN104769424A

(43)申请公布日2015.07.08

(21)申请号CN201380030209.6

(22)申请日2013.04.09

(71)申请人巴拉什塔库拉帕里·;INANOBIO有限公司

地址美国亚利桑那州

(72)发明人巴拉什塔库拉帕里·J·阿比纳弗

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公司

代理人杨昀

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

场效应晶体管、包含所述晶体管的

装置及其形成和使用方法

(57)摘要

本公开内容提供一种改进的场效应

晶体管和装置，所述场效应晶体管和装置

能够用于感测和表征不同材料。所述场效

应晶体管和/或装置包括能够用于多种应用

的晶体管，所述应用包括基因组测序、蛋

白质测序、生物分子测序和对于离子、分

子、化学品、生物分子、金属原子、聚合

物、纳米颗粒等的检测。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种形成传感器装置的方法，所示方法包括如下步骤：

提供基质；

蚀刻所述基质的部分以形成蚀刻区；

在所述蚀刻区附近形成绝缘区；

形成覆盖所述基质的第一表面的源区；和

形成覆盖基质的第二表面的漏区。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供基质的步骤包括提供包含

一种或多种下述物质的基质：硅、绝缘体上的硅、GaAs、GaN、锗、

绝缘体上的GaN、绝缘体上的GaAs、绝缘体上的锗。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成绝缘区的步骤包括选自下

组的一种或多种技术：植入、热氧化、化学气相沉积、旋涂、蒸汽涂

覆、喷涂和浸渍涂覆。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻沿所述基质的结晶平面进

行。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻步骤是自限制过程。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，绝缘区采用植入形成。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括退火步骤。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述蚀刻区内的

第一表面上和所述蚀刻区内的第二表面上形成掩模。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成掩模的步骤是自对准步骤。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括形成通过所述

基质的纳米孔的步骤。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述纳米孔采用如下一种或多

种技术形成：离子研磨、电子束研磨、激光技术、反馈蚀刻、化学终止湿蚀

刻和湿蚀刻。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括半导体层沉积

覆盖所述绝缘层的步骤。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括形成选自下组的

层：所述蚀刻区附近的金属层和第二绝缘层。

14.一种形成传感器装置的方法，所示方法包括如下步骤：

提供绝缘体基质；

蚀刻所述基质的部分以形成蚀刻区；和

形成选自下组的层：所述蚀刻区附近的半导体层、金属层和第二绝缘层。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法还包括形成源区，所

述源区覆盖所述基质的第一表面。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述方法还包括形成漏区，所

述漏区覆盖所述基质的第二表面。

17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述蚀刻沿所述基质的结晶平