文档详情

0.18um BCD工艺下宽带射频开关关键技术的深度剖析与创新实践.docx

发布：2025-06-06约3.26万字共26页下载文档
文本预览下载声明

0.18umBCD工艺下宽带射频开关关键技术的深度剖析与创新实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体制造领域，0.18umBCD工艺占据着举足轻重的地位。BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺是一种将双极型晶体管（Bipolar）、互补金属氧化物半导体（CMOS）和双扩散金属氧化物半导体（DMOS）这三种器件制作在同一芯片上的技术。它融合了双极型器件高跨导、强驱动能力和CMOS器件低功耗、高集成度以及DMOS器件高耐压的优势，为实现复杂的系统级芯片（SoC）提供了可能，广泛应用于电源管理、汽车电子、智能传感器等众多领域。

随着半导体技术的不断发展，特征尺寸的缩

显示全部
相似文档