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ZnO纳米线的电子结构调控与磁性机制研究.docx

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ZnO纳米线的电子结构调控与磁性机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，纳米材料以其独特的物理和化学性质，成为了材料科学领域的研究热点。氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽禁带半导体材料，在室温下具有约3.37eV的禁带宽度和高达60meV的激子结合能，展现出优异的光学、电学和化学稳定性等特性，在光电子器件、透明导电薄膜、压电器件以及气敏传感器等众多领域有着广泛的应用前景。

随着纳米技术的不断进步，ZnO纳米材料，特别是ZnO纳米线，因其准一维的纳米结构，表现出与块体材料截然不同的物理性质，吸引了科研人员的广泛关注。ZnO纳米线的直径通常在几十到几百

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