ZnO纳米线的电子结构调控与磁性机制研究.docx
文本预览下载声明
ZnO纳米线的电子结构调控与磁性机制研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今科技飞速发展的时代,纳米材料以其独特的物理和化学性质,成为了材料科学领域的研究热点。氧化锌(ZnO)作为一种重要的宽禁带半导体材料,在室温下具有约3.37eV的禁带宽度和高达60meV的激子结合能,展现出优异的光学、电学和化学稳定性等特性,在光电子器件、透明导电薄膜、压电器件以及气敏传感器等众多领域有着广泛的应用前景。
随着纳米技术的不断进步,ZnO纳米材料,特别是ZnO纳米线,因其准一维的纳米结构,表现出与块体材料截然不同的物理性质,吸引了科研人员的广泛关注。ZnO纳米线的直径通常在几十到几百
显示全部