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半导体前道工艺(FEOL)核心流程详解.pptx

发布：2025-05-14约小于1千字共36页下载文档
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半导体前道工艺(FEOL)核心流程详解;FEOL工艺概述

晶圆制备与表面处理

薄膜沉积技术

光刻工艺体系;刻蚀与离子注入

表面平坦化与检测

FEOL工艺挑战

典型应用案例;01;;前道与后道工艺区别;晶体管密度;02;;;晶圆清洗标准流程;03;CVD化学气相沉积;;;04;光刻胶涂覆与烘焙;曝光;采用极紫外光源进行曝光，可实现更小的光刻节点和更高的分辨率，适用于制造更先进的芯片。;05;利用高能离子束或等离子体对硅片表面进行物理刻蚀，具有高精度、高垂直度、低污染等优点，常用于微细线条和多层结构的加工。;离子注入掺杂工艺;退火工艺参数控制;06;;关键尺寸量测;;07;;界面反应;良率提升方案;08;;光刻技术;;感谢观看

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