《半导体光电子学课件》下集5.1ld的阈值特性.pptx

第五章半导体激光器的性能

性能01静态性能：阈值，电光量子效率，线宽和光谱、寿命02动态性能：调制带宽，调制畸变，自脉冲等03（直流）04（交流）05

5.1LD的阈值特性

衡量LD内是受激发射还是自发发射01的有无是区分LD与LED标志02比较LD之间质量优劣03阈值作用：

030201同质结→异质结（单）→双异质结→应变多量子阱(R-MQW)：↓↓条形LD：与侧向波导结构有关（增益波导）（折射率波导）、（掩埋条形LD）一.LD结构对阈值的影响

有源层厚度d光场限制因子d↓函数载流子浓度↑↓（当d↓↓P↓↑二.LD几何尺寸对的影响

SHLD中同质结的弱波导作用越大↓（在相同d时）↑最小对立的d↓LD有源层工艺厚度

有源层宽度与阈值关系由于光丝的扩散01载流子的倒向扩散02具有折射率波导的条形LD，03由于对载流子、光子进行了限制，04宽度可以做到很窄05

腔长L与的关系01例外：InGaAsP/InP长波长LDL↓、↑因为短腔中俄歇非辐射符合大02

温度：室温T影响的因素↑越稳定。不随T变化：特征温度，描述LD工作温度稳定工作最重要的量。01当T↑、↓、g↓需要更多的载流子注入维持①增益系数g∝02

内部载流子和光子的损耗T↑越过势垒载流子泄漏↑InGaAsP/InP300K时漏电流占1/3总I内量子效率T↑Auger(CHHS)过程复合系数↑↑复合损失↑↓

长波长InGaAsP/InP的短波长GaAlAs/GaAsAuger非辐射复合严重小，载流子热泄漏严重

01λ0.8μλ↓间接带隙能积累的载流子增加λ0.8μλ↑Auger非辐射复合速率增加，载流子泄漏损耗↑02四.波长与的关系