场效应管的基本特性.pptx

1场效应晶体管及其应用学习目标:1．了解各种场效应晶体管的结构，掌握它们的转移特性、输出特性以及主要参数。2．掌握场效应晶体管的静态偏置电路与静态分析方法。3．掌握场效应晶体管共源极放大器、共漏极放大器（源极跟随器）的微变等效电路与主要性能参数。

本章内容场效应晶体管的基本特性共源极场效应晶体管放大电路源极输出器小结

3.1场效应晶体管的基本特性3场效应管是一种电压控制器件。它是利用输入端的电场效应来控制其输出电流的大小，从而实现放大。场效应管工作时，参与导电的只有多子一种载流子，因此又称为单极性型器件；而三极管称为双极性器件，参与导电的有多子和少子两种载流子。场效应管的特点

3.分类：根据结构不同，场效应管分为两大类，结型场效应管和绝缘栅型场效应管。1）结型场效应管：利用半导体内的电场效应来控制其漏极电流的大小2）绝缘栅场效应管：利用半导体表面的电场效应来控制漏极的电流绝缘栅型场效应管----简称“MOS”管引线电极：金属铝绝缘介质：二氧化硅MOS管特点：输入电阻很大，且制作工艺简单，便于集成---实际中得到广泛的应用

绝缘栅场效应晶体管P沟道增强型N沟道耗尽型P沟道耗尽型N沟道增强型结型场效应晶体管P沟道结型场效应晶体管耗尽型绝缘栅场效应晶体管增强型绝缘栅场效应晶体管场效应晶体管N沟道结型场效应晶体管

结型场效应管(JFET)，它是利用半导体内的电场效应来工作的，因而也称为体内场效应器件。按导电沟道的不同，有N沟道和P沟道两类。结型场效应管结构与符号（P78）结型场效应晶体管----耗尽型

2、结型场效应晶体管特性曲线（P78）输出特性曲线（P78）

2）转移特性曲线（P79）8UGS(off)≤uDS≤0

231Idss：饱和漏源电流.指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.UGS（OFF）或UP：夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.

绝缘栅型场效应晶体管—MOS管1、结构和符号N沟道耗尽型（P80）N沟道增强型N沟道耗尽型

P沟道增强型和耗尽型绝缘栅场效应管（P80）P沟道增强型P沟道耗尽型

特性曲线增强型NMOS管输出特性（P80）

iD当uGS＞UGS(th)时产生的电流IDO：UGS=2VT时对应的电流VT：开启电压增强型NMOS管转移特性（P80）

3.1.3场效应晶体管的特性参数（P82）1.性能参数（1）开启电压UGS(th):是增强型MOS管特有的参数。它是指uDS为一固定值（如10V），使iD等于某一微小电流（如10μA）时所需要的最小uGS值。（2）夹断电压UGS(off):是耗尽型MOS管和结型管的参数。它是指uDS为一固定值（如10V），而使iD减小到某一微小电流（如10μA）时的uGS值。

饱和漏极电流IDSS:是耗尽型MOS管和结型管的参数。它是指在uGS＝０时，使管子出现预夹断时的漏极电流。IDSS也是结型管所能输出的最大电流。直流输入电阻RGS:是指在漏、源极间短路的条件下，栅、源极之间所加直流电压与栅极直流电流的比值。一般JFET的RGS＞107Ω，而IGFET(MOS管)的RGS＞109Ω。

低频跨导（互导）gm:01是指在uDS为某一定值时，漏极电流iD的微变量和引起它变化的uGS微变量的比值，即02场效应管低频跨导gm一般为几毫西门子03单位：西门子（S）04gm反映了栅源电压uGS对漏极电流iD的控制能力，是表征场效应管放大能力的一个重要参数（对应于三极管的β）。05

极限参数1701最大漏极电流IDM:是指管子在工作时允许的最大漏极电流。最大耗散功率PDM:最大耗散功率PDM＝uDS·IDM，它受管子的最高温度的限制，与三极管的PCM相似。02

1（4）栅源击穿电压U(BR)GS:它是栅、源极间所能承受的最大电压。击穿会造成短路现象，使管子损坏。2（3）漏源击穿电压U(BR)DS:它是漏、源极间所能承受的最大电压，也就是使iD开始急剧上升（管子击穿）时的uDS值。

电子技术193.1.4场效应管与晶体管的比较（P83）场效应管只有多子参与导电；三极管内既有多子又有少子参与导电场效应管是电压控制型器件，而三极管是电流控制型器件。两种晶体管均可获得较大的电压放大倍数。少子受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。2341

补：MOS管的外形封装及引脚判别20

电子技术243.1.5MOS管使用的注意事项MOS管有四个引脚，便于使用者根据电路需要连接，通常P衬底接低电位，N衬底接高电位但在有的电路中，需要将源极和衬底连在一起，目的是：为了减轻源极与衬底之间的电压对MOS管导电性能的影