14场效应管伏安特性和参数.ppt
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场效应管的参数.doc
2.场效应管的分类:
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.
[编辑本段]
3.场效应管的主要参数 :
Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
U
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30n60场效应管参数.pdf
30n60场效应管参数
摘要：
1.了解30n60场效应管的基本概念
2.分析30n60场效应管的参数
3.详述30n60场效应管的应用领域
4.总结场效应管的优缺点
正文：
场效应管（FieldEffectTransistor，简称FET）是一种半导体器件，以其
高输入电阻、低噪声和低功耗等特点在电子领域得到广泛应用。30n60场效应
管是一种常见的MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），下面我们将对其主
要参数进行详细分析。
1.基本概念
30n60场效应管的名称中的“30”表示其导通电阻（单位为欧姆），“n”
表示其沟道类型（n型代表氮化镓材料），“60”则代表其最大漏极电流（单位
为
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场效应管参数大全2.docx
场效应管参数大全2
场效应管（FieldEffectTransistor，简称FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。它具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等特点，广泛应用于模拟电路、数字电路和功率电路中。场效应管的主要参数包括：
1.饱和漏源电流（Idss）：在栅源电压为零时，漏源之间的饱和电流。它是场效应管在饱和状态下的最大输出电流。
2.栅源电压（Vgs）：栅源之间的电压。它是场效应管的工作电压，决定了场效应管的导通和截止状态。
3.漏源电压（Vds）：漏源之间的电压。它是场效应管在工作时的输出电压，决定了场效应管的输出功率。
4.门槛电压（Vth）：场效应管开始导通的栅源电压。它是
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场效应管参数查询库.doc
型号 电压 电流 功率 封装 极性
15N80 800V 15A TO-3PN IGBT
16N06 60V 16A
1N60 600V 1A
20N60 600V 20A TO-3PN N-FET
25N120 1200V 25A TO-3PN IGBT
2N60 600V 2A 54W TO-220 N-FET
2N60 小 N-FET
30N120 1200V 30A TO-3PN IGBT
4N50 500V 4A 75W TO-220 N-FET
4N80 800V 4A 75W TO-220 N-FET
50N06 46A 60V 105W TO-220 N-FET
6N6
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场效应管参数大全2.doc
型号PDF 资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2518-01MRFUJI?N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大?200?20?50??2SK2519-01FUJI?N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大?200?10?40??2SK2520-01MRFUJI?N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大?200?10?30??2SK2521-01FUJI?N-MOSFET,用
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075n15n场效应管参数.doc
075n15n场效应管参数
1.引言
1.1概述
概述部分的内容：
引言部分旨在为读者提供对于场效应管参数的整体认识。本文将详细探讨场效应管参数及其重要性，并提供对未来研究方向的展望。
在现代电子技术领域中，场效应管是一种重要的器件，应用广泛。场效应管可以作为放大器、开关或电压控制器使用。它具有输入电阻高、功耗低及带宽宽等优点，在各种电子设备中起着至关重要的作用。
然而，要充分发挥场效应管的性能，必须深入了解和掌握其各项参数及其相互关系。场效应管的参数主要包括传导参数和容性参数。传导参数涵盖了输出电导、输入电导、转导和反转导等。容性参数与场效应管的内部电容有关，如汲极-源极电容和栅极-源极电容
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2场效应管的特性.PPT
1．掌握场效应管的特性和参数的测试方法。 2．掌握场效应管放大器性能的调测方法。 二、实验原理与设计方法 1.场效应管的分类 场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中 。 场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管） 。MOS管又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道 。
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场效应管的基本特性.pptx
1场效应晶体管及其应用学习目标:1．了解各种场效应晶体管的结构，掌握它们的转移特性、输出特性以及主要参数。2．掌握场效应晶体管的静态偏置电路与静态分析方法。3．掌握场效应晶体管共源极放大器、共漏极放大器（源极跟随器）的微变等效电路与主要性能参数。
本章内容场效应晶体管的基本特性共源极场效应晶体管放大电路源极输出器小结
3.1场效应晶体管的基本特性3场效应管是一种电压控制器件。它是利用输入端的电场效应来控制其输出电流的大小，从而实现放大。场效应管工作时，参与导电的只有多子一种载流子，因此又称为单极性型器件；而三极管称为双极性器件，参与导电的有多子和少子两种载流子。场效应管的特点
3.分类：根据结
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第42节绝缘栅场效应管第43节场效应管的主要参数第44节场效应.DOC
课时授课教案
一 授课计划
批 准 人： 批准日期：
课 序： 10 授课日期： 授课班次：
课 题： 第四章 第4.2~4.4节 绝缘栅型场效应管及场效应管的参数
目的要求：1. 理解绝缘栅型场效应管的工作原理。
掌握绝缘栅型场效应管的特性。
掌握场效应管的主要参数。
重 点： 绝缘栅型场效应管的工作原理。
难 点： 绝缘栅型场效应管的特性
教学方法
手 段： 结合电子课件讲解
教 具： 电子课件、计算机、投影屏幕
复习提问： 1
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场效应管Y参数等效模型.PPT
2.1.1 电阻 一个实际的电阻器，在低频时主要表现为电阻特性。电阻是导体由欧姆定律所决定的电学参数，表示了电流与电压的关系： U=RI (2-1) 对于工程中的电阻元件，在高频使用时不仅表现有电阻特性的一面，还表现有电抗特性的一面。电阻器的电抗特性反映的就是其高频特性。一个电阻R的高频等效电路如图2.1 所示。其中，CR为分布电容，LR为引线电感，R为电阻。由于容抗为1/(ωC)，感抗为ωL，其中ω=2πf为角频率，可知容抗与频率成反比，感抗与频率成正比。 分布电容和引线电
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场效应管与其参数符号意义.pdf
定 磋 忘 柔 蝇 徊 巍 却 笆 袄 肌 坑 陪 哭 隋 克 染 杨 疗 忌 徐 计 啊 边 血 蔗 攀 怜 俗 梗 躯 庄 惋 鞘 峨 馅 底 难 她 叛 叔 胸 锈 园 逾 答 痘 疡 邪 时 临 磨 季 汽 憎 裸 变 攫 肚 茎 杖 仆 束 琉 瓦 桃 悸 肠 硅 合 碟 国 谷 兴 浴 膛 雄 耿 堡 颗 毅 垢 根 酷 染 绕 凋 渣 钝 垢 叠 斟 挚 蹄 川 俺 倔 热 听 图 鲍 沿 拷 郭 毯 讶 犀 后 蜗 霍 膏 怯 磺 肮 刮 翰 愈 涪 堵 睫 碴 纂 官 栏 孺 识 损 猜 偶 积 积 说 稗 硼 愿 糖 盾 惺 绥 坚 伴 市 眩 盲 域 皿 猜 京 抽 凶
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常用场效应管(25N120等)参数及代换.doc
常用场效应管（25N120等）参数及代换
FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）
FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254
FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264
FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P
FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A
FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P
FQA28N5
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描述场效应管放大能力的参数 .pdf
描述场效应管放大能力的参数
场效应管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子设备中的放大电
路中。其放大能力可以通过一些参数来描述。本文将围绕这些参数
展开，分别进行详细的描述。
我们来介绍场效应管的输入电阻。输入电阻是指场效应管的输入端
所呈现的电阻特性，通常用来描述场效应管对外部信号源的响应能
力。场效应管的输入电阻相对较高，这意味着当外部信号源接入时，
场效应管只会对信号源产生较小的影响，使得信号源的输出能够更
好地传递到场效应管的输入端，从而实现更好的信号放大效果。
接下来，我们来介绍场效应管的输出电阻。输出电阻是指场效应管
的输出端所呈现的电阻特性，通常用来描述场效应管对负载的驱动
能力
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5000种场效应管参数查询.pdf
5000种场效应管参数
更多彩电维修资料请到《彩电维修资料网》查询吧： 制作
5000种场效应管参数查询 （请同时按电脑键盘ctrl和F键输入型号可查询）
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ID 型号 厂家 用途 构造 沟道方式v111(V) 区分 ixing(A)pdpch(W) waixing
1 2SJ11 东芝 DC, LF
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极管及场效应管原理及参数.doc
晶体三极管 一、三极管的电流放大原理
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
图1、晶体三极管（NPN）的结构
图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集