文档详情

探索SiGe HBT性能增强路径：技术、机理与创新应用.docx

发布：2025-05-08约2.8万字共21页下载文档
文本预览下载声明

探索SiGeHBT性能增强路径：技术、机理与创新应用

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体技术不断演进的历程中，SiGeHBT（SiliconGermaniumHeterojunctionBipolarTransistor，硅锗异质结双极晶体管）凭借独特优势，在半导体领域占据了重要地位。随着信息技术呈指数级发展，各领域对半导体器件性能提出了前所未有的高要求，SiGeHBT也因此成为研究热点。

SiGeHBT的核心优势在于将硅（Si）和锗（Ge）的特性巧妙融合，突破了传统硅基器件的性能瓶颈。硅材料在半导体产业中应用广泛，具有成熟的工艺和良好的兼容性，但在高频、高速应用中

显示全部
相似文档