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EBL SiGe HBT扭结效应及其Mextram模型研究.docx

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EBLSiGeHBT扭结效应及其Mextram模型研究

一、引言

随着半导体技术的快速发展,EBL(嵌入式基底技术)在SiGeHBT(硅锗异质结双极晶体管)器件中的应用日益广泛。在这样的大背景下,SiGeHBT扭结效应成为了业界关注的焦点之一。为了更准确地理解和控制这种效应,并进一步提升器件性能,本研究以Mextram模型为研究基础,深入探讨扭结效应的影响及模拟研究。

二、SiGeHBT扭结效应概述

SiGeHBT扭结效应指的是在特定条件下,SiGe异质结中的能带结构发生变化,导致电子和空穴传输性能发生改变的现象。这一现象在SiGeHBT器件中具有重要意义,因为扭结效应可能影响器

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