GaN激光器缓冲层制备及界面等离子体处理光电特性研究.pdf
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摘要
在现代半导体光电领域内，GaN激光器以其优异的光电特性及在高功率、高频率
应用的突出性能而广受关注，因此制备高性能的GaN激光器对光电技术发展具有重
要意义。本研究围绕GaN激光器缓冲层的制备，及界面等离子体处理对激光器光电
特性的影响进行了深入探讨。AlN与GaN晶格匹配性高，具有出色的热导性和化学
稳定性，是GaN激光器中重要的缓冲层材料。因此，制备高质量的AlN对提升GaN
激光器的整体性能至关重要。此外，GaN激光器性能亦受界面性能影响，如脊形侧壁
漏电
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