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GaN激光器缓冲层制备及界面等离子体处理光电特性研究.pdf

发布:2025-05-06约8.14万字共58页下载文档
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摘要

在现代半导体光电领域内,GaN激光器以其优异的光电特性及在高功率、高频率

应用的突出性能而广受关注,因此制备高性能的GaN激光器对光电技术发展具有重

要意义。本研究围绕GaN激光器缓冲层的制备,及界面等离子体处理对激光器光电

特性的影响进行了深入探讨。AlN与GaN晶格匹配性高,具有出色的热导性和化学

稳定性,是GaN激光器中重要的缓冲层材料。因此,制备高质量的AlN对提升GaN

激光器的整体性能至关重要。此外,GaN激光器性能亦受界面性能影响,如脊形侧壁

漏电

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