GaAs基高功率半导体激光器腔面的氮等离子体清洗方法.pdf
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112838470 A
(43)申请公布日 2021.05.25
(21)申请号 202011435270.7
(22)申请日 2020.12.10
(71)申请人 扬州工业职业技术学院
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