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GaAs基高功率半导体激光器腔面的氮等离子体清洗方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112838470 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011435270.7 (22)申请日 2020.12.10 (71)申请人 扬州工业职业技术学院
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