文档详情

石墨烯场效应晶体管微波建模技术：原理、挑战与突破.docx

发布：2025-05-04约3.19万字共26页下载文档

文本预览下载声明

石墨烯场效应晶体管微波建模技术：原理、挑战与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，微波技术在通信、雷达、电子对抗等领域的应用愈发广泛，对微波器件性能的要求也日益提高。石墨烯场效应晶体管（GrapheneField-EffectTransistor，GFET）作为一种基于新型二维材料石墨烯的器件，因其独特的物理性质，展现出了在微波领域巨大的应用潜力，成为了研究热点。

石墨烯是由碳原子组成的二维蜂窝状晶格结构，具有优异的电学、热学和力学性能。其载流子迁移率极高，可达105cm2/(V?s)以上，是硅材料的数十倍甚至上百倍；饱和速度快，超过108cm/s；同时，石墨

显示全部

相似文档

场效应晶体管原理.pdf 场效应晶体管原理 嘿，朋友们！今天咱来聊聊场效应晶体管原理，这玩意儿可有意思啦！你看啊，场效应晶体管就像是一个特别会控制水流的小闸门。电流就好比水流，而这个小闸门能决定让多少水流过去。它有三个极，源极、漏极和栅极。源极呢，就像是水的源头，漏极就是水流出去的地方，那栅极可就厉害了，它就像是控制闸门开关的把手。当栅极上没有电压的时候，就好像把手没动，闸门关得紧紧的，电流不容易通过，这就是截止状态。可要是在栅极上加了合适的电压呢，嘿，那就像把手轻轻一转，闸门打开了，电流就能欢快地流过去了，这就是导通状态。这和我们生活中的很多事情也挺像的呀！比如说，你家里的水龙头，你不拧开它，水就
2024-12-04 约小于1千字 2页立即下载
《晶体管原理与场效应》课件.ppt 晶体管原理与场效应：从基础到应用;课程大纲与学习目标;半导体物理基础概述;本征半导体与杂质半导体;N型半导体的形成原理;P型半导体的形成原理;PN结的基本概念;PN结的工作原理;晶体管的发展历史;晶体管的基本结构;晶体管的工作原理;晶体管的符号表示;晶体管的特性曲线;共射极放大电路;共集电极放大电路;共基极放大电路;三种基本放大电路的比较;晶体管的主要参数;晶体管的温度效应;晶体管在开关电路中的应用;场效应管的发展历史;场效应管的基本概念;场效应管的分类;结型场效应管(JFET)结构;JFET的工作原理;JFET的特性曲线;JFET的主要参数;JFET的应用电路;金属氧化物半导体场效应管(MO
2025-03-20 约小于1千字 60页立即下载
《场效应晶体管原理与应用》课件.ppt 场效应晶体管原理与应用;课程简介：场效应晶体管的重要性;场效应晶体管的基本结构;场效应晶体管的分类;结型场效应晶体管(JFET);JFET的工作原理;JFET的特性曲线;JFET的主要参数;JFET的应用电路;金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET);MOSFET的结构;MOSFET的工作模式：增强型与耗尽型;N沟道增强型MOSFET;P沟道增强型MOSFET;N沟道耗尽型MOSFET;P沟道耗尽型MOSFET;MOSFET的特性曲线;MOSFET的主要参数;MOSFET的应用电路：开关电路;MOSFET的应用电路：放大电路;MOSFET的应用电路：数字电路;CMOS电路原理;CMOS
2025-03-16 约小于1千字 60页立即下载
场效应晶体管的结构工作原理.ppt P沟道增强型MOSFET的结构和工作原理 P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 * * 场效应晶体管有二种结构形式： 1.绝缘栅型场效应晶体管 又分增强型和耗尽型二类 2.结型场效应晶体管----只有耗尽型 场效应晶体管在集成电路中被广泛使用，绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)分为增强型和耗尽型两大类，每类中又有N沟道和P沟道之分。不象双极型晶体管只有NP
2017-07-03 约2.81千字 11页立即下载
场效应晶体管.ppt 4.1 JFET;11.2.1 数字投音器;学习重点;引入－ JFET的工作特点;引入－ JFET的工作特点;一、JFET结构－N沟道;一、JFET结构－P沟道;导电沟道事先已存在;导电沟道事先已存在; 能够控制导电沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道;二、工作原理－控制沟道; 能够控制导电沟道;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;二、工作原理－控制电流iD;三、特性曲线－转移特性;三、特性曲线－输出特性;三、特性曲线－输出特性;四、JFET主要参数
2019-05-06 约小于1千字 23页立即下载
功率场效应晶体管原理功率场效应晶体管原理.doc 功率场效应晶体管(MOSFET)原理功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。一、电力场效应管的结构和工作原理　　电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强
2016-12-30 约1.67万字 34页立即下载
基于石墨烯的场效应晶体管研究论文.docx 基于石墨烯的场效应晶体管研究论文摘要：随着纳米技术的快速发展，石墨烯作为新型二维材料，因其独特的物理和化学性质，在电子器件领域展现出巨大的应用潜力。本文旨在探讨基于石墨烯的场效应晶体管（GFET）的研究进展，分析其材料特性、器件结构、性能优化等方面，以期为石墨烯场效应晶体管的研究和应用提供参考。关键词：石墨烯；场效应晶体管；纳米技术；器件性能；应用前景一、引言（一）石墨烯的物理与化学特性 1.内容一：石墨烯的晶体结构 1.1石墨烯是一种单层碳原子组成的二维材料，具有六角蜂窝状的晶格结构。 1.2石墨烯的晶格常数约为0.246纳米，具有较高的晶格对称性。 1.3石墨烯的晶体结构使
2025-04-03 约5.11千字 10页立即下载
石墨烯场效应晶体管研究进展.pptx 石墨烯场效应晶体管研究进展汇报人：2024-01-24 引言石墨烯场效应晶体管基本原理石墨烯场效应晶体管制备技术石墨烯场效应晶体管性能优化策略石墨烯场效应晶体管应用领域及前景展望总结与未来发展趋势预测contents目录引言01 石墨烯是一种由单层碳原子组成的二维材料，具有优异的电学、热学和力学性质。石墨烯的晶格结构稳定，电子在其中的运动速度快，使得石墨烯具有极高的载流子迁移率和电导率。石墨烯还具有优异的柔韧性和透明度，可广泛应用于柔性电子器件和透明电子器件等领域。石墨烯简介 FET的基本结构包括源极、漏极和栅极，通过栅极电压控制源漏极之间的电流。FET在数字电路、模拟电路和功率电子等领域有
2024-06-16 约2.83千字 27页立即下载
GaN基功率型微波双异质结构场效应晶体管的技术发展.pdf GaN基功率型微波双异质结构场效应晶体管的技术发展 S．I．Petrov~,A．N．Alexeev1，D．M ．Krasovitskyz,V．P．Chaly (I．SemiTEq股份公司，俄罗斯圣彼得堡； 2．Svetlana—Rost股份公司，俄罗斯圣彼得堡) 摘要：有关结果表明，在氨分子柬外延 STE3N2系统中，以极高的温度 (1100—1150℃)让氮化铝缓冲层进行增长是为
2017-09-08 约1.16万字 5页立即下载
场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823869 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210105962.8 H01L 21/28 (2006.01) (22)申请日 2022.01.
2023-05-17 约2.39万字 28页立即下载
场效应晶体管的p型和n型结构.pdf 场效应晶体管的p型和n型结构 P型和N型场效应晶体管的结构和工作原理 场效应晶体管（FieldEffectTransistor，简称FET）是一种利用电场效应来控制沟道电阻和电流的半导体器件，属于电压控制型器件，具有输入电阻高、噪声低、功耗低、动态范围大、易于集成等优点。场效应晶体管根据沟道的载流子类型和栅极的结构，可以分为P型和N型两种，本文将介绍它们的结构和工作原理，主要包括以下几个方面： -P型和N型场效应晶体管的结构特点； -P型和N型场效应晶体管的工作模式和状态； -P型和N型场效应晶体管的输出特性和转移特性； -P型和N型场效应晶体管的应用领域和优缺点。一、P型和N型场
2024-12-05 约2.03千字 3页立即下载
场效应晶体管-MOSFET.ppt 半导体器件原理南京大学 2。MOSFET 电流电压特性 (1)电荷层近似：反型层中无电势降落或能带弯曲。半导体器件原理南京大学 (2) 线性区的电流电压特性阈值电压Vt 半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学线性区半导体器件原理南京大学 (3) 饱和区的电流电压特性体效应系数：半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学饱和区半导体器件原理南京大学 (4) 夹断和电流饱和沟道漏端的表面沟道在饱和状态产生消失。半导体器件原理南京大学夹断区半导体器件原理南京大学半导体器件原理南京大学 Vds→Vds
2019-05-06 约3.66千字 82页立即下载
《场效应晶体管》课件.ppt 场效应晶体管欢迎学习场效应晶体管课程！场效应晶体管是现代电子技术的重要组成部分，它利用电场效应控制电流，是现代集成电路的核心元件。本课件将系统介绍场效应晶体管的基本概念、类型、特性及应用，帮助您深入理解这一关键电子器件的工作原理及其在现代电子技术中的重要地位。课程目标1掌握基本概念理解场效应晶体管的基本工作原理，掌握电场控制电流的核心机制，区分场效应晶体管与双极型晶体管的本质区别。2熟悉主要类型系统学习结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的结构特点、工作原理及应用范围。3理解电路应用掌握场效应晶体管在放大电路、开关电路、集成电路中的应用原理，能够分析和设
2025-03-25 约1.9万字 10页立即下载
《场效应晶体管》课件.ppt 场效应晶体管：电子世界的微小英雄;什么是场效应晶体管（FET）？;FET的基本工作原理简介;FET在电子技术中的重要地位;场效应晶体管的历史发展;早期半导体技术的挑战;场效应晶体管的突破性意义;FET的基本结构解析;源极、漏极和栅极的功能;沟道导电机制详解;N沟道和P沟道FET的区别;场效应晶体管的分类;结型场效应晶体管（JFET）;绝缘栅场效应晶体管（IGFET）;金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）;MOSFET的工作模式;增强型MOSFET;耗尽型MOSFET;栅极电压与导电性的关系;FET的电学特性曲线;转移特性曲线详解;输出特性曲线分析;场效应晶体管的关键参数;跨导（gm）的
2025-03-06 约小于1千字 59页立即下载
场效应晶体管(FET).pdf 第四节场效应晶体管（FET）晶体三极管是电流控制型器件，当它工作在放大状态时，必须给基极注入一定的基极电流，放大信号时，需从输入信号源中吸取信号源电流，所以晶体管的输入阻抗低。 场效应晶体管(FET)是一种电压控制型器件，它利用输入电压在半导体内产生的电场效应来控制输出电流的大小。场效应管的输入端几乎不吸取信号源电流，有极高的输入电 815Ω。场效应管还具有噪声低，受温度、辐射影响小，制造工艺简阻，一般可达10～10 单，便于大规模集成等优点，因此得到广泛应用。 场效应管根据结构不同可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)两大类，每一类又有N沟道和P沟道之分。
2024-12-03 约1.77万字 7页立即下载