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基于驻极体栅介质的柔性低压IGZO薄膜晶体管性能与应用研究.docx

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基于驻极体栅介质的柔性低压IGZO薄膜晶体管性能与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，电子设备正朝着轻薄化、柔性化和便携化的方向迈进，对高性能、低功耗的电子器件提出了更高要求。薄膜晶体管（Thin-FilmTransistor，TFT）作为现代电子技术中的关键器件，广泛应用于平板显示、传感器、集成电路等领域，其性能的优劣直接影响着电子设备的整体性能。在众多薄膜晶体管材料中，氧化物半导体以其独特的优势脱颖而出，成为研究热点。

氧化物薄膜晶体管的发展历程可以追溯到20世纪60年代，当时以氧化锡（SnO_2）为沟道层的首个氧化物TFT被报道。然而，早期的氧

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