《电子束辐照GaN》课件.ppt
电子束辐照GaN;半导体材料重要性;GaN材料研究发展历史;为什么研究电子束辐照GaN;电子束辐照技术简介;本课题内容与研究目标;课件结构概览;GaN基本物理与化学特性;GaN的主要制备方法;GaN在电子器件中的应用;GaN优缺点分析;典型GaN器件结构剖析;GaN材料中的典型缺陷;GaN的辐射效应敏感环节;电子束辐照技术基础原理;常见电子束设备类型;电子束能量与剂量参数;电子束辐照实验流程;辐照过程中常见安全措施;电子束与其他辐射源对比;国内外主要研究机构及现状;电子束与GaN材料的相互作用机理;常见辐照缺陷类型;缺陷浓度与剂量依赖性;辐照对GaN导电性的影响;辐照对GaN光学性能的影响;辐照对GaN结构的影响;表面与界面效应;器件级别的性能劣化;电子束诱发的失效机制;辐照损伤与材料应力变化;缺陷演化与自愈合机制;材料抗辐照性的提升策略;表征方法总览;低温光致发光(PL)检测;时间分辨光致发光(TRPL);电子自旋共振(ESR)技术;透射电子显微镜(TEM)分析;X射线衍射(XRD)和拉曼光谱;电学性能表征;原子力显微镜与表面形貌检测;最近五年国际研究进展;国内GaN电子束辐照研究现状;代表性案例一:高剂量辐照损伤调控;代表性案例二:低温辐照增益机制;代表性案例三:辐照后的自修复现象;应用前景:空间和核能领域;挑战与技术瓶颈;未来发展方向展望;结论与讨论