文档详情

反极性红光发光二极管芯片及其制备方法.pdf

发布：2023-05-17约1.77万字共14页下载文档

文本预览下载声明

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114824000 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210270336.4 H01L 33/42 (2010.01) (22)申请日 2022.03.

显示全部

相似文档

提高发光效率的红光发光二极管芯片及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380931 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110435740.8 (22)申请日 2021.04.22 (71)申请人华灿光电（苏州）有限公司
2023-06-21 约1.84万字 14页立即下载
红外发光二极管芯片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113345987 B (45)授权公告日 2022.05.13 (21)申请号 202110412078.4 H01L 33/30 (2010.01)
2023-06-18 约2.13万字 16页立即下载
发光二极管芯片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551673 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210447377.6 (22)申请日 2022.04.27 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 33
2023-05-07 约1.32万字 12页立即下载
发光二极管芯片制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112993112 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 202110143874.2 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2021.02
2023-06-10 约1.47万字 14页立即下载
紫外发光二极管芯片及其P电极的制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820809 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011610596.9 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司
2023-06-03 约1.45万字 11页立即下载
垂直结构的发光二极管芯片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113345990 B (45)授权公告日 2022.05.20 (21)申请号 202110413085.6 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2021.04
2023-06-18 约1.69万字 14页立即下载
一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566573 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210130902.1 H01L 33/00 (2010.01)
2023-05-06 约1.39万字 12页立即下载
微型发光二极管显示芯片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566515 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210192674.0 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人镭昱光电科技（苏州）有限公司地址
2023-05-09 约2.58万字 23页立即下载
发光二极管芯片制备方法及发光二极管芯片.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820808 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110006545.3 (22)申请日 2021.01.05 (71)申请人华灿光电（苏州）有限公司
2023-06-05 约1.67万字 13页立即下载
一种倒装发光二极管芯片及制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551680 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210177950.6 (22)申请日 2022.02.24 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 33
2023-05-10 约1.55万字 13页立即下载
一种反极性红光LED芯片及其封装方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802937 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110379962.2 (22)申请日 2021.04.09 (71)申请人南昌凯迅光电有限公司
2023-06-07 约1.01万字 10页立即下载
发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117423787A (43)申请公布日2024.01.19 (21)申请号202311737036.3 (22)申请日2023.12.18 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址3
2024-01-18 约1.25万字 9页立即下载
发光二极管的外延片及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802929 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110164464.6 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司
2023-06-02 约1.64万字 14页立即下载
发光二极管的外延片及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802931 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110164469.9 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司
2023-06-05 约1.67万字 14页立即下载
发光二极管外延片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802933 B (45)授权公告日 2022.05.13 (21)申请号 202110166507.4 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2021.02
2023-06-03 约1.34万字 11页立即下载