文档详情

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管.pdf

发布：2024-01-18约1.25万字共9页下载文档

文本预览下载声明

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117423787A

(43)申请公布日2024.01.19

(21)申请号202311737036.3

(22)申请日2023.12.18

(71)申请人江西兆驰半导体有限公司

地址3

显示全部

相似文档

发光二极管的外延片及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802929 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110164464.6 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司
2023-06-02 约1.64万字 14页立即下载
发光二极管的外延片及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802931 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202110164469.9 (22)申请日 2021.02.05 (71)申请人华灿光电（浙江）有限公司
2023-06-05 约1.67万字 14页立即下载
发光二极管外延片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802933 B (45)授权公告日 2022.05.13 (21)申请号 202110166507.4 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2021.02
2023-06-03 约1.34万字 11页立即下载
发光二极管外延片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802932 B (45)授权公告日 2022.05.13 (21)申请号 202110156717.5 H01L 33/20 (2010.01)
2023-06-02 约1.53万字 12页立即下载
发光二极管外延片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883460 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210545523.9 H01L 33/14 (2010.01)
2023-05-14 约1.73万字 13页立即下载
氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117810332A (43)申请公布日2024.04.02 (21)申请号202410232512.4 (22)申请日2024.03.01 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址3
2024-03-30 约2.95万字 16页立即下载
一种发光二极管外延片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566576 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210191723.9 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人江西兆驰半导体有限
2023-05-07 约1.91万字 11页立即下载
发光二极管的外延结构及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394318 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110650790.8 (22)申请日 2021.06.10 (71)申请人中国科学院半导体研究所
2023-06-19 约7.68千字 8页立即下载
发光二极管外延片制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112993100 B (45)授权公告日 2022.01.14 (21)申请号 202110281276.1 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日
2023-06-10 约1.35万字 12页立即下载
发光二极管外延片制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112993101 B (45)授权公告日 2022.05.17 (21)申请号 202110250482.6 H01L 33/32 (2010.01)
2023-06-06 约1.46万字 12页立即下载
提高可靠性的发光二极管外延片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883464 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210448660.0 C30B 29/40 (2006.01)
2023-05-17 约1.51万字 12页立即下载
一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551660 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210148854.9 (22)申请日 2022.02.18 (66)本国优先权数据
2023-05-10 约1.51万字 14页立即下载
红外发光二极管外延结构及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551670 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210157090.X (22)申请日 2022.02.21 (71)申请人厦门士兰明镓化合物半导体有限公
2023-05-08 约1.59万字 12页立即下载
一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114792749 A (43)申请公布日 2022.07.26 (21)申请号 202210457982.1 H01L 33/00 (2010.01)
2023-05-12 约1.67万字 14页立即下载
发光二极管外延片及其生长方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113013299 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 202110108063.9 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请
2023-06-09 约1.71万字 11页立即下载