模电“电子技术基础”康华光-ch3-2-diod.ppt

其伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。二极管模型举例结构类型和符号伏安特性主要参数典型应用型号命名规则特殊二极管3.3半导体二极管(Diode)半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片3.3.1结构类型和符号二极管=PN结+引线+管壳。类型：点接触型、面接触型和平面型(1)点接触型—(a)点接触型一、结构类型(c)平面型(3)平面型—(2)面接触型—(b)面接触型二、符号旧符号新符号阳极(Anode)阴极(Cathode)标记D1D2Diode3.3.2伏安特性IS:反向饱和电流VT=kT/q:温度的电压当量室温（T=300K）下，VT=26mV一、理想二极管方程(PN结方程)理想二极管伏安特性曲线——单向导电性非线性器件！实际D与理想D两点区别：二、实际二极管伏安特性1)正向(V0)存在死区电压硅：Vth=0.5VThreshold锗：Vth=0.1V阈限2)反向(V0)存在击穿电压VBR(Breakdown)雪崩击穿Avalanche齐纳击穿Zener（均可逆)理想实际3.3.3主要参数VBR——反向击穿电压IR(IS)——反向饱和电流(1)IF——最大整流电流长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流(4)rd——动态电阻硅(nA)级；锗(?A)级rd=?VF/?IF二极管正向特性曲线斜率的倒数3.3.4特殊二极管一、稳压二极管工作条件：（反向击穿区）反偏电压+限流电阻（保护、调压）符号问题：正偏特性？主要参数VZ——稳定电压IZmin~IZmax(2)IZ——稳定工作电流取决于PN结的面积和散热等条件，超过则热击穿PZM=VZIZmax(3)PZM——最大耗散功率二、光电二极管发射相干单色光的特殊发光二极管。主要用于小功率光电设备，如光驱、激光打印头等。符号见图B图B将电信号转换为光信号的器件，常用于显示，或做光纤传输中的光发射端。符号见图B四、激光二极管三、发光二极管（LED）将光信号转换为电信号的器件，常用于光的测量，或做光电池。符号见图A图A触敏屏(light-emittingdiode)*其伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。二极管模型举例*