垂直腔面发射激光器、激光器芯片和激光器发射模组.pdf

垂直腔面发射激光器.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114792933 A (43)申请公布日 2022.07.26 (21)申请号 202210065595.3 (22)申请日 2022.01.20 (30)优先权数据 2021-009633 202

2023-05-14 约1.99万字 27页立即下载

可调谐垂直腔面发射激光器技术规范.docx 1 可调谐垂直腔面发射激光器技术规范 1范围本文件规定了可调谐垂直腔面发射激光器的型号命名、主要参数、技术要求、测试要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等相关要求。本文件适用于可调谐垂直腔面发射激光器的研制、生产、交付和测试等。 2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T191包装储运图示标志 GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A：低温GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部

2025-02-13 约1.24万字 30页立即下载

1550nm垂直腔面发射激光器设计的开题报告.docx 1550nm垂直腔面发射激光器设计的开题报告 1.研究背景随着信息技术的发展，光纤通信已成为人们日常生活中不可或缺的重要组成部分。为了实现高速、高质量的数据传输和通信，需要开发新型的光电器件。垂直腔面发射激光器（VCSEL）由于具有低成本、小体积、面积密集、波长可调等优点，已成为现代光通信中的重要组成部分。1550nmVCSEL的应用已广泛用于局域网、数据中心、城域网等领域。因此，设计一个高性能的1550nmVCSEL对于光通信技术的发展具有重要的意义。 2.研究目的本研究旨在设计一个高性能的1550nmVCSEL，主要包括以下目标：（1）设计1550nm波长的VCSEL结构参数。（2

2024-05-02 约小于1千字 2页立即下载

795nm垂直腔面发射激光器研究的开题报告.docx 795nm垂直腔面发射激光器研究的开题报告 1.研究背景和意义 垂直腔面发射激光器（VCSEL）是一种重要的半导体激光器，具有结构简单、制备工艺成熟、激光束发散角小等优点，被广泛应用于光通信、传感和图像识别等领域。近年来，随着光通信和数据中心的快速发展，VCSEL的需求量不断增加，对其性能的要求也越来越高。其中，激射波长是影响VCSEL性能的重要参数之一，而红外区域的激射波长（如795nm）在光通信等领域有着广泛的应用价值。 2.研究内容和方法本研究的主要目标是设计制备工作波长为795nm的VCSEL器件，并对其性能进行实验研究和分析。具体研究内容包括：（1）设计制备工作波长为795nm的

2024-05-08 约小于1千字 2页立即下载

一种垂直腔面发射激光器及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410756 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110668842.4 (22)申请日 2021.06.16 (71)申请人厦门市三安集成电路有限公司

2023-06-21 约1.3万字 11页立即下载

垂直腔面发射激光器及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112993752 B (45)授权公告日 2021.09.17 (21)申请号 202110503049.9 审查员关玉巧 (22)申请日 2021.05.10

2023-06-09 约1.76万字 17页立即下载

一种垂直腔面发射激光器阵列.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114552374 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210189671.1 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人常州纵慧芯光半导体科技有限公司地址

2023-05-09 约1.78万字 19页立即下载

一种垂直腔面发射激光器阵列.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114552375 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210192186.X (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人常州纵慧芯光半导体科技有限公司地址

2023-05-09 约1.74万字 18页立即下载

一种垂直腔面发射激光器及光纤耦合系统.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113346352 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110764140.6 (22)申请日 2021.07.06 (71)申请人深圳博升光电科技有限公司

2023-06-18 约1.24万字 14页立即下载

垂直腔面发射激光器及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114825039 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110088742.4 (22)申请日 2021.01.22 (71)申请人中国科学院物理研究所地址 100

2023-05-15 约2.02万字 21页立即下载

一种垂直腔面发射激光器及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114825042 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110093829.0 (22)申请日 2021.01.22 (71)申请人中国科学院物理研究所地址 100

2023-05-13 约2.29万字 25页立即下载

垂直腔面发射激光器及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114792932 A (43)申请公布日 2022.07.26 (21)申请号 202210444226.5 (22)申请日 2022.04.25 (71)申请人绍兴中芯集成电路制造股份有限公

2023-05-15 约1.33万字 10页立即下载

垂直腔面发射激光器的谐振腔优化设计及其激光性能调控.docx 垂直腔面发射激光器的谐振腔优化设计及其激光性能调控一、引言 垂直腔面发射激光器（Vertical-CavitySurface-EmittingLasers，VCSELs）作为一种重要的光电子器件，在光通信、光互连、生物医学成像等领域有着广泛的应用。其独特的结构与工作原理使得其具有高集成度、低阈值电流、高调制速率等优势。然而，为了实现更好的激光性能，对谐振腔的优化设计以及激光性能的调控显得尤为重要。本文将详细探讨垂直腔面发射激光器的谐振腔优化设计及其激光性能调控的相关内容。二、垂直腔面发射激光器概述 垂直腔面发射激光器是一种采用法布里-珀罗（Fabry-Perot）谐振腔结构的激光器。其基本

2025-05-02 约4.28千字 8页立即下载

2025年中国垂直腔面发射激光器市场深度分析及行业前景展望报告.docx 研究报告 PAGE 1- 2025年中国垂直腔面发射激光器市场深度分析及行业前景展望报告一、市场概述 1.1.垂直腔面发射激光器定义及分类 垂直腔面发射激光器，简称VCSEL，是一种基于半导体材料的光学器件，通过电光效应实现光信号的发射。它具有体积小、功耗低、集成度高、可靠性好等优点，在光通信、光学存储、生物医疗、消费电子等领域有着广泛的应用。VCSEL的核心结构包括一个有源区、两个分布式反馈镜和两个反射镜，通过有源区的电子与空穴复合释放能量，形成激光。根据工作波长和封装形式的不同，VCSEL可以分为多种类型。按波长分类，主要有850nm、905nm、1310nm和1550nm等；按封装形

2025-01-22 约1.44万字 26页立即下载

1310nm垂直腔面发射激光器设计与研制的开题报告.docx 1310nm垂直腔面发射激光器设计与研制的开题报告开题报告题目：1310nm垂直腔面发射激光器设计与研制一、研究背景及意义目前，光纤通信技术正不断推进，对高品质、高功率的光发射器要求也不断提高，以满足更加广泛的应用需求。其中，波长在1300nm左右的光发射器，由于其有着在光纤通信领域广泛应用的优异性能，成为了市场上的焦点。本研究将聚焦于1310nm垂直腔面发射激光器的设计与研制，旨在通过对相关技术的研究、优化，开发出高性能、高质量的光发射器，以满足光纤通信领域的市场需求，具有重要的研究意义和工程应用价值。二、研究内容及技术路线本研究的主要任务是设计和研制一种波长为1310nm垂直

2023-08-18 约1.05千字 2页立即下载