半导体晶片切割工艺.pdf

半导体晶片切割的机器视觉系统毕业设计.docx 毕业论文 半导体晶片切割的机器视觉系统摘要：机器视觉系统在工业中已经广泛使用，本课题研究了机器视觉系统运用于半导体晶片切割的工业流程。在选取合适的摄像机和图像采集卡前提下，成功获取了清晰的半导体晶片原始图像；然后利用halcon软件首先运用傅立叶变换获取原始图像的自相关图像从而得到晶片的宽和高，然后通过匹配算法构建匹配模型，最后与原始图像进行匹配后计算出晶片的切割线来完成晶片的切割定位。这样即完成了一套半导体晶片的自动切割的流程，本课题的实现大大的提升了半导体晶片切割的

2019-05-12 约2.62万字 37页立即下载

半导体晶片的金属化.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582708 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202011393016.5 (22)申请日 2020.12.02 (71)申请人贺利氏德国有限及两合公司地址德

2023-05-10 约1.8万字 14页立即下载

一种用于半导体晶片的钝化炉.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214123842 U (45)授权公告日 2021.09.03 (21)申请号 202023155444.2 (22)申请日 2020.12.24 (73)专利权人青岛金汇源电子有限公司

2023-04-01 约5.31千字 6页立即下载

处理半导体晶片的方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112987502 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202011255598.0 (22)申请日 2020.11.11 (30)优先权数据 62/949,78

2023-06-10 约2.91万字 35页立即下载

半导体工艺角.doc 与双极晶体管不同，在不同的晶片之间以及在不同的批次之间，MOSFETs参数变化很大。为了在一定程度上减轻电路设计任务的困难，工艺工程师们要保证器件的性能在某个范围内，大体上，他们以报废超出这个性能范围的芯片的措施来严格控制预期的参数变化。 detail 通常提供给设计师的性能范围只适用于数字电路并以“工艺角”（Process Corner）的形式给出。如图，其思想是：把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内。这四个角分别是：快NFET和快PFET，慢NFET和慢PFET，快NFET和慢PFET，慢NFET和快PFET。例如，具有较薄的栅氧、较低阈值电压的晶体管，就

2017-04-24 约3.88千字 4页立即下载

具有多层接线结构的半导体晶片.docx (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利说明书 (10)申请公布号CN101447463A (43)申请公布日2009.06.03 (21)申请号CN200810181940.X (22)申请日2008.11.28 (71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市 (72)发明人陈宪伟蔡豪益郑心圃刘豫文 (74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司代理人陈晨 (51)Int.CI H01L23/00 H01L23/522 权利要求说明书说明书幅图 (54)发明名称具有多层接线结构的半导体晶片 (57)摘要本发明公开一种具有多层接线结构的半导体晶片。晶片包括

2024-07-26 约7.82千字 14页立即下载

半导体晶片项目可行性研究报告.docx 研究报告 PAGE 1- 半导体晶片项目可行性研究报告一、项目概述 1.项目背景 (1)随着信息技术的飞速发展，半导体产业作为国家战略性新兴产业，对经济社会发展具有重要意义。近年来，我国半导体产业取得了长足进步，但与国际先进水平相比，仍存在较大差距。在5G、人工智能、物联网等新兴领域的快速发展背景下，对高性能、高可靠性的半导体晶片需求日益增长。因此，开展半导体晶片项目，对于推动我国半导体产业升级，提升国家核心竞争力具有重要意义。 (2)半导体晶片作为电子设备的核心部件，其性能直接影响着电子产品的质量和使用寿命。目前，我国在高端半导体晶片领域主要依赖进口，不仅价格高昂，且受制于人。为打破国际垄

2024-12-27 约1.19万字 23页立即下载

2025年半导体晶片可行性研究报告 .pdf 为天地立心，为生民立命，为往圣继绝学，为万世开太平。——张载丨可行性研究报告咨询 半导体晶片项目可行性研究报告泓域咨询丨WORD格式下载可编辑 1 勿以恶小而为之，勿以善小而不为。——刘备丨可行性研究报告咨询目录第一章项目绪论1 一、项目名称及建设性质.1 二、项目拟建地址及用地指标.1 三、项目建设的理由.2 四、项目建设内容.3 五、项目产品规划方案.4 六、投资估算及资金筹措方案.4 七、项目达纲年预期经济效益.5 八、项目建设进度规划.6 九、报告编制说明.7 十、项目综合评价.14 十一、主要经济指标.16 第二章项目建设背景及必要性.18 一、项目提出的背景.18 二、

2025-03-08 约4.66万字 50页立即下载

半导体晶片项目可行性研究报告.docx 研究报告 PAGE 1- 半导体晶片项目可行性研究报告一、项目概述 1.项目背景 (1)随着全球信息化、数字化进程的不断推进，半导体产业已成为支撑国家经济发展和科技创新的关键领域。近年来，我国半导体产业得到了快速发展，但与国际先进水平相比，仍存在较大差距。特别是在高端芯片领域，我国仍需依赖进口，面临着技术封锁和供应链安全的挑战。为了提升我国半导体产业的自主创新能力，推动产业升级，开展半导体晶片项目具有重要的战略意义。 (2)半导体晶片作为半导体产业的核心基础材料，其性能直接影响着电子产品的性能和可靠性。随着5G、物联网、人工智能等新兴技术的快速发展，对高性能、低功耗的半导体晶片需求日益增长。

2024-12-28 约1.55万字 30页立即下载

方便取放晶粒的半导体晶片高效封装设备.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566446 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210086787.2 (22)申请日 2022.01.25 (71)申请人洪鸿地址 247100 安徽省

2023-05-07 约1.8万字 19页立即下载

一种用于半导体晶片厚度的检测装置.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114543628 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210311330.7 B25H 1/10 (2006.01)

2023-05-10 约1.32万字 15页立即下载

半导体清洗设备及晶片清洗方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112974396 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202110087609.7 B08B 13/00 (2006.01)

2023-06-06 约1.91万字 15页立即下载

一种用于半导体晶片制备的旋转平台.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213026085 U (45)授权公告日 2021.04.20 (21)申请号 202020698263.5 (22)申请日 2020.04.30 (73)专利权人江苏同臻智能科技有限公司

2023-02-26 约1.09万字 12页立即下载

一种半导体晶片厚度检测装置.pdf (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218545535 U (45)授权公告日 2023.02.28 (21)申请号 202222836816.0 (22)申请日 2022.10.27 (73)专利权人南通东芯半导体设备有限公司地址

2023-03-02 约7.56千字 7页立即下载

半导体工艺基础.ppt 2、平板型反应器特点：（1）上下电极彼此平行，间距 2~5 cm，电场均匀地分布在平行极板之间。除自由基的化学腐蚀作用外，离子在电场作用下作与硅片表面垂直的定向运动而产生微弱的溅射刻蚀作用，使腐蚀具有一定的各向异性，使分辨率有所提高。（2）腐蚀速率高，选择性好，设备简单，成本低。 * (三)、等离子体刻蚀的性能 1、影响刻蚀速率的各种因素 (1) 射频功率越高，腐蚀速率越快。但过高的功率会降低光刻胶的抗蚀性，导致腐蚀的可控性变差。 (2) 增加腐蚀气体流量，将增加活性离子

2018-12-23 约3.49万字 173页立即下载