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一种SiC基片外延制备GaN的方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113345798 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202110608157.2 WO 2016192434 A1,2016.12.08 (22)申请日

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