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在三维存储器件中由保护性电介质层保护的半导体插塞及其形成方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345912 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110619167.6 H01L 27/11524 (2017.01)

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