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具有纵向P型源区的沟槽型场效应晶体管及其制备方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114566548 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210111178.8 (22)申请日 2022.01.27 (71)申请人无锡先瞳半导体科技有限公司地址

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