2、高频电路基础学案.ppt

第2章 高频电路基础 ;一、高频电路中的无源元件（R、L、C）;一般： 金属膜电阻比碳膜电阻的高频特性要好，而碳膜 电阻比线绕电阻的高频特性要好; 表面贴装(SMD)电阻比普通电阻的高频特性要好; 小尺寸的电阻比大尺寸电阻的高频特性要好。;2、高频电容;2、高频电容;电感器的高频等效电路;1、晶体二极管;2、晶体三极管与场效应管（FET);3、集成电路（IC);2.2 高频电路中的基本电路 ;一、高频振荡回路;（1）并联谐振回路;例2-1：设一放大器以简单并联振荡回路为负载，信号中心 频率f=10MHZ， 回路电容C=50pF。 (1) 试计算所需的线圈电感值。 ;(c) 特性阻抗;放大器;并联回路谐振时的电流、电压关系;称为广义失谐量 ;( f ) 通频带;放大器;B0.1;R0;R0;放大器;（2）串联谐振回路(自学);第二版:P67 2-2 2-3;思考题与习题 　2-2 对于收音机的中频放大器，其中心频率f0= 465 kHz，B = 8 kHz，回路电容C = 200 pF，试计算回路电感和QL值。若电感线圈的Q0 = 100，问在回路上应并联多大的电阻才能满足要求。; 2-3 图示为波段内调谐用的并联振荡回路，可变电容C的变化范围为12～260pF，Ｃt为微调电容，要求此回路的调谐范围为535～1605kHz，求回路电感Ｌ和Ｃt的值，并要求Ｃ的最大和最小值与波段的最低和最高频率对应。;2. 抽头并联振荡回路; 与外电路相连的那部分电抗与本回路参与分压的同性质总电抗之比;R;（3）折算方法 ;CL;③ 信号源的折算;结论：电流源由低端向高端折合，电流变小，是原来的p倍。;例 2-2 如图， 抽头回路由电流源激励，忽略回路本身的固有 损耗，试求回路输出电压 u1(t) 的表示式及回路带宽。;回路谐振时，呈电阻性，电压与电流同相，且电压振幅为：; 在高频电路中，有时用到两个互相耦合的振荡回路，也称为双调谐回路。;过耦合;二、高频变压器和传输线变压器;2、传输线变压器;2、传输线变压器;2、传输线变压器;2、传输线变压器; 结构示意图 ;（2）稳定的谐振频率 ; 2、电路符号、等效电路;3、晶体的阻抗特性曲线;负载电容;　① 晶体的谐振频率fq和f0非常稳定。 　② 晶体谐振器有非常高的品质因数。 　③ 晶体谐振器的接入系数非常小，一般为 10－3数量级，甚至更小。 　④ 晶体在工作频率附近阻抗变化率大，有很高的并联谐振阻抗。;四、集中滤波器;1、陶瓷滤波器; 对中频信号呈现极小的阻抗，此时负反馈最小，增益最大。离开中频，滤波器成较大阻抗，使放大器负反馈增大，增益下降。;2、声表面波滤波器（Surface Acoustic Wave---SAW) ;声表面波滤波器应用电路;1. 高频衰减器 利用高频衰减器可以调整信号传输通道上的信号电平。 高频衰减器分为固定衰减器和高频可变(调)衰减器两种。 除了微波衰减器可以用其他形式构成外，高频衰减器通常都用电阻网络、开关电路或PIN二极管实现 。;第二版:P67 2-4 2-5;　　2-4 图示为一电容抽头的并联振荡回路，谐振频率f0=1MHz, C1=400 pF，C2=100 pF，求回路电感L。若Q0=100, RL=2 kΩ，求回路有载QL值。; 答2-5： 石英晶体有以下几个特点: 1. 晶体的谐振频率只与晶片的材料、尺寸、切割方式、几何形状等有关， 温度系数非常小，因此受外界温度影响很小 2. 具有很高的品质因数 3. 具有非常小的接入系数，因此手外部电路的影响很小。 4. 在工作频率附近有很大的等效电感，阻抗变化率大，因此谐振阻抗很大 5. 构成震荡器非常方便，而且由于上述特点，会使频率非常稳定。