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一种制备低基平面位错碳化硅单晶的装置与方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114561694 A (43)申请公布日 2022.05.31 (21)申请号 202210182802.3 (22)申请日 2022.02.25 (71)申请人 浙江大学 地址 310012 浙江
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