三极管、mos管工作原理.ppt

Confidential Jun-2009 v1.0 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * Confidential Jun-2009 v1.0 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * GoerTek USA Confidential 08-06-2008 GoerTek Confidential 2011 * 一、三极管原理介绍 1. 三极管的结构简介 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 (a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号 一、三极管原理介绍 2. 三极管的三种状态 --以NPN为例 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE)? iB=const 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 三极管有两种用处：1为信号的放大用，此时三极管工作在放大区；2为开关用，三极管工作在饱和区和截止区 一、三极管原理介绍 3. 三极管的导通关闭条件 三极管是电流驱动的，但三极管自身并不能把小电流变成大电流，它仅仅起着一种控制作用，控制着电路里的电源，按确定的比例向三极管提供 Ib 、 Ic 和 Ie这三个电流。三极管有如下三种连接方式，但无论哪种连接方式，要使三极管导通，必须使发射结正偏；要使三极管关闭，必须使发射结反向偏置。 PNP三极管导通关闭条件与此相反 一、三极管原理介绍 4. 三极管参数介绍 以Philips公司的NPN三极管BC847W为例进行参数说明 三极管的击穿电压 三极管的最大功率损耗 三极管的集电极最大允许电流 一、三极管原理介绍 4. 三极管参数介绍 以Philips公司的NPN三极管BC847W为例进行参数说明 三极管的电流放大倍数 三极管的截止频率 三极管导通时的饱和压降 二、Mos管原理介绍 1. Mos管的基础知识 MOSFET是利用半导体表面的电场效应进行工作的，也称为表面场效应器件。它分为N沟道和P沟道两类，其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种，所谓耗尽型就是当 栅极和